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集成电路封装和可靠性Chapter2-1-芯片互连技术

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集成电路封装和可靠性Chapter2-1-芯片互连技术

集成电路封装测试与可靠性

Chapter 2

Chip Level Interconnection

芯片互连技术

宁宁

UESTC-Ning Ning

典型的IC封装工艺流程

Wafer In

Wire Bond

(WB

引线键合)

Die Coating

(DC

晶粒封胶/涂覆)

集成电路封装测试与可靠性

Solder Plating

(SP

锡铅电镀)

Top Mark

(TM

正面印码)

Forming/Singular

(FS

去框/成型)

Lead Scan

(LS

检测)

Packing

(PK

包装)

Wafer Grinding

(WG研磨)

Wafer Saw

(WS

切割)

Die Attach

(DA

黏晶)

Epoxy Curing

(EC

银胶烘烤)

UESTC-Ning Ning

Molding

(MD

塑封)

Post Mold Cure

(PMC

模塑后烘烤

)

Dejunk/Trim

(DT

去胶去纬)

集成电路封装测试与可靠性



电子级硅所含的硅的纯度很高，可

达

99.9999 99999 %

中德电子材料公司制½的晶棒(长度

达一公尺，重量超过一百公斤)

UESTC-Ning Ning

集成电路封装测试与可靠性

Wafer Back Grinding



Purpose

The wafer backgrind process

reduces the thickness

of the

wafer produced by silicon fabrication (FAB) plant. The

wash

station

integrated into the same machine is used to wash away

debris

left over from the grinding process.



Process Methods:

Coarse grinding

mechanical. (粗磨)

Fine polishing

mechanical or plasma

etching. (细磨抛光)

UESTC-Ning Ning

集成电路封装测试与可靠性

下压力

旋½及振荡½

在旋½平盘上

之晶圆

工½台仅在指示有晶圆期间才旋½



Method:

The wafer is first mounted on a

backgrind tape

and is

then loaded to the backgrind machine

coarse wheel.

the coarse grinding is completed, the wafer is transferred

to a

fine wheel for polishing.

UESTC-Ning Ning

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文档解析

这份文档详细介绍了集成电路的封装测试与可靠性相关的技术和工艺流程。文档首先概述了芯片互连技术的典型工艺流程，包括晶圆研磨、切割、黏晶、银胶烘烤、引线键合、晶粒封胶、塑封、模塑后烘烤、去胶去纬、锡铅电镀、正面印码、去框成型、检测和包装等步骤。接着，深入探讨了晶圆背面研磨、晶圆切割、芯片粘接、引线键合、塑封成型、密封过程、倒装芯片底部填充、标记过程、第二级互连以及成型和去框等关键工艺的技术细节和挑战。文档还讨论了各种材料选择、设备稳定性、工艺优化、市场要求以及对更薄芯片和更小引脚间距的需求等问题。此外，还提到了传输载体和包装材料的使用目的和类型，以及在处理过程中可能遇到的挑战和问题。整体而言，这份文档为理解集成电路封装的复杂性和技术要求提供了宝贵的信息。

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