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RCA清洗技术是半导体行业中用于晶圆清洗的一种重要工艺，其目的是去除晶片表面的污染物，如微尘粒、有机物、无机物和金属离子等，以确保超大型集成电路（ULSI）的制程良率、品质和可靠度。该技术由Kern和Puotinen于1965年发明，并在1970年发布。RCA清洗包括多个步骤，如SPM（硫酸和过氧化氢混合）、DHF（稀释氢氟酸）、SC1和SC2（分别为氢氧化铵和双氧水的混合，以及盐酸和双氧水的混合）等，每一步都使用超纯水进行冲洗。此外，还有超声波去除微粒的机制，以及改进的RCA清洗方法，包括水中超声清洗、使用浓硫酸和BHF去除氧化层等。清洗过程中使用的设备包括湿法工作站、单晶圆清洗机等，操作时需注意安全，穿戴适当的防护装备，并在紧急情况下采取相应措施。整个清洗过程要求精确控制化学浓度、温度和时间，以实现高效且安全的清洗效果。
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