文档解析
本文是国际整流器公司（International Rectifier）发布的关于高压浮动MOS栅极驱动集成电路（MGD）的应用手册，主要分为三部分。第一部分讨论了高压侧器件的栅极驱动要求，包括栅极电压需高于漏极电压10~15V，栅极电压可控性，以及栅极驱动电路对总效率的影响。介绍了几种实现栅极驱动的技术，如浮动栅极驱动电源法、脉冲变压器法、充电泵法等，并分析了每种方法的特点和适用场景。
第二部分深入探讨了MOS栅极驱动器的典型框图，包括输入逻辑、低压侧和高压侧通道的设计和功能。详细解释了自举工作原理和如何选择自举元件，以及如何计算MGD的功率消耗，包括静态和动态功耗。此外，还提供了关于处理Vs脚上瞬间负偏压的方法，以及线路板设计和其他实用提示。
第三部分提供了具体的应用电路图和设计建议，如驱动BUCK变换器、双正激和开关磁阻电机控制器、无刷和感应电机的驱动，以及推挽和其他低压侧应用。还讨论了如何驱动高压侧P沟道MOSFET和闸流管的栅极，以及故障排除提示。
整体而言，这份手册为设计工程师提供了关于高压MOS栅极驱动集成电路的全面技术指南，涵盖了从基本要求到具体应用的各个方面，旨在帮助他们设计出高效、可靠的功率转换和电机驱动系统。
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