15-3-24
Mosfet
和 三极管：在ON 状态区别：_电源论坛_世纪电源½
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综合技术讨论区
楼主
blueskyy
|
总工程师(12566)
|
发消息
2010-12-07 14:25
主题:
Mosfet
和 三极管：在ON 状态区别：
Mosfet
和 三极管，在ON 状态：
mosfet
通常用Rds
三极管通常用饱和Vce，
½反过来说吗？
mosfet
用饱和Vds
三极管用饱和Rce，
说说½的看法：
回复楼主
1楼
eric.wentx
|
总工程师
(22184) |
发消息
2010-12-07 14:34
1.一个是电流型器件，一个是电压型器件
2.
½DATAHSHEET上如½定一个MOSFET的Vds( 不同的ids下)？同样Rce½也无法定义吧
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2楼
HolyFaith
|
高级工程师
(4046) |
发消息
2010-12-08 09:00
MOS大部分用的是功率的，是在开关状态。三极管咱们一般用的是小信号的，是在放大状态的。觉得还是不太½比的
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3楼
blueskyy
|
总工程师
(12566) |
发消息
2010-12-08 13:33
用三极管做开关电源的主开关的电路一大把呀。。。。
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4楼
真武阁
|
工程师
(1692) |
发消息
2010-12-08 18:13
MOS导通呈电阻特性，三极管导通呈二极管结特性
按：前提是饱和导通。
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117楼
nk6108
|
工程师
(1092) |
发消息
2011-08-05 02:30
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118楼
nk6108
|
工程师
(1092) |
发消息
2011-08-05 02:32
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119楼
nk6108
|
工程师
(1092) |
发消息
2011-08-05 02:36
[本帖最后由
nk6108
于
2011-08-15 19:20
编辑
]
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120楼
nk6108
|
工程师
(1092) |
发消息
2011-08-05 02:36
www.21dianyuan.com/bbs/27634.html
1/20
15-3-24
Mosfet
和 三极管：在ON 状态区别：_电源论坛_世纪电源½
[本帖最后由
nk6108
于
2011-08-15 19:20
编辑
]
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121楼
nk6108
|
工程师
(1092) |
发消息
2011-08-05 02:37
BJT
的跨导，就是二极管的伏安特性，它的导通电阻不比
FET
大，½由于导电须穿过势壘，故Uce 有门限。
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5楼
eric.wentx
|
总工程师
(22184) |
发消息
2010-12-08 18:15
90年代前，基本上电源（正/反/半/全/）½是用BJT来做的，所以去翻下书，上面原理图½是画的BJT，并不是MOSFET.
蓝天兄，回答下一楼的问题，看½如½定义那些东西？
[本帖最后由
eric.wentx
于
2010-12-08 18:15
编辑
]
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8楼
blueskyy
|
总工程师
(12566) |
发消息
2010-12-09 19:12
请兄台看我7楼写的，
有问题，请不吝指出。
回复8楼
6楼
sswcwy
|
工程师
(647) |
发消息
2010-12-09 00:11
三极管ON状态时工½于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基
极驱动电流Ib一般不½保持恒定，因而Ice就不½简单的仅由Vce来决定，即不½采用
饱和Rce来表示（因Rce会变化）；由于饱和状态下Vce较小，所以三极管一般用饱和Vce表示。
MOS管在ON状态时工½于线性区（相½于三极管的饱和区），与三极管相似，电流Ids由Vgs和Vds决定，½MOS管的驱动电压Vgs一般可保持不
变，因而Ids可仅受Vds½响，即在Vgs固定的情况下，导通阻抗Rds基本保持不变，所以MOS管采用Rds方式。
以上均为个人愚见，如有不对之处欢迎各½大侠拍砖½½
回复6楼
7楼
blueskyy
|
总工程师
(12566) |
发消息
2010-12-09 19:10
我和兄台的理解有一点点的不同。
1。MOS管在ON状态时工½于线性区？
应该是工½在饱和区。
2。与三极管相似，电流Ids由Vgs和Vds决定
这个同意。
3。½MOS管的驱动电压Vgs一般可保持不变
相对于三极管的Vbe容易变动，3。的说法也½接受。
综观兄台的观点，造成这个原因的本质是因为三极管是流控器件,三极管Rce=f(Ib,Vce,Ic), 而三极管在饱和状态下的Ib是不稳定的，故：三极管Rce
不½确定。
而Mosfet是压控器件，Rds=f(Vth,Vds,Id),
Vth是相对稳定的。故，Rds相对稳定。
分析的有道理，谢谢！
回复7楼
9楼
zkybuaa
|
工程师
(1133) |
发消息
2010-12-09 19:55
呵呵~
蓝天兄的第一点就有误。
mosfet ON状态是工½在可变电阻区的，OFF状态是工½在截至区的。弥勒区才是恒流区。
回复9楼
10楼
blueskyy
|
总工程师
(12566) |
发消息
2010-12-09 20:05
www.21dianyuan.com/bbs/27634.html
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Mosfet
和 三极管：在ON 状态区别：_电源论坛_世纪电源½
mosfet在ON
状态，是先经过可变电阻区（放大区，会在这里发生miler效应）。表现：驱动电½会出现一个平台。随后，迅速越过这个地带，
进入恒阻区（饱和区），再这个区，电感完成½量积累（拿boost来说）。
回复10楼
11楼
zkybuaa
|
工程师
(1133) |
发消息
2010-12-09 20:13
晕倒~
是½的错，还是我的错？
回复11楼
13楼
blueskyy
|
总工程师
(12566) |
发消息
2010-12-09 20:19
呵呵，可½我没有说清楚吧
我这里的ON ，是特指 越过mile期之后的，饱和状态。
不½意思没说清楚，让兄台误解了
回复13楼
12楼
玉兔昇
|
助理工程师
(375) |
发消息
2010-12-09 20:18
为什么场效应管是这样划分？而三极管分为饱和区、放大区和截止区？
回复12楼
14楼
blueskyy
|
总工程师
(12566) |
发消息
2010-12-09 20:20
其实三极管的三个区也是这样划分的。不同的书出现不同的说法。让人混淆
回复14楼
15楼
zkybuaa
|
工程师
(1133) |
发消息
2010-12-09 20:21
一般CMOS放大电路，是工½在饱和区，对否？
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16楼
blueskyy
|
总工程师
(12566) |
发消息
2010-12-09 20:29
呵呵，我知道我和兄之间的问题出在哪里了。。。
关于这三个区，不同的书定义的不一样。
有的将饱和区（说成恒流区）
有的将放大区（说成饱和区）
真的很晕死。
回复16楼
17楼
zkybuaa
|
工程师
(1133) |
发消息
2010-12-09 20:33
½的图中，两条曲线之间的区域，是CMOS防大电路的工½区域。
这个地方叫恒流区或者叫饱和区，对否？
www.21dianyuan.com/bbs/27634.html
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15-3-24
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20楼
blueskyy
Mosfet
和 三极管：在ON 状态区别：_电源论坛_世纪电源½
|
总工程师
(12566) |
发消息
2010-12-09 21:11
是不是 应该叫放大区呢？
记得康华光的书是这样定义的（拿NPN三极管来说）
从Ic-Vce½顺时针开始，依次是：饱和区，放大区，截止区
[本帖最后由
blueskyy
于
2010-12-09 22:34
编辑
]
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21楼
zkybuaa
|
工程师
(1133) |
发消息
2010-12-09 21:39
我们学校的教材是童诗½、华成英的教材，里面定义这个区域，叫做 恒流区，也叫饱和区。
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22楼
blueskyy
|
总工程师
(12566) |
发消息
2010-12-09 21:56
康华光的教材里，称 放大区为 恒流区。
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28楼
sswcwy
|
工程师
(647) |
发消息
2010-12-09 22:21
这些教材定义的术语真是杯具。。
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44楼
heimei868
|
本½技工
(127) |
发消息
2010-12-10 09:52
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术语太多了
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37楼
slamdunk
|
工程师
(523) |
发消息
2010-12-09 22:41
我们一般讨论BJT和MOS是有区别的，MOS管平的那段叫饱和区，而BJT是放大区，几乎所有书上½是这样定义
回复37楼
18楼
wsh5106
|
工程师
(1530) |
发消息
2010-12-09 20:33
蓝天看的是哪本书上的？½帖出看看，就不信那个邪了。。。
回复18楼
19楼
blueskyy
|
总工程师
(12566) |
发消息
2010-12-09 21:04
这是真的，½年在做仪表的时候我们和厂里的总工程师½争论过，现场翻书。
回复19楼
23楼
zkybuaa
|
工程师
(1133) |
发消息
2010-12-09 21:59
继续下去~
MOS的D极和S极，有½区别？
有很多场合，DS可以互换工½，比如同步整流，有源嵌½。
BJT的C E是否可以互换工½？
回复23楼
24楼
blueskyy
|
总工程师
(12566) |
发消息
2010-12-09 22:10
张兄提了个非常½的问题。
电流可以双向 流过
Mosfet的D和S
，正是Mosfet这个突出的优点，让同步整流中没有DCM的概念，½量可以从输入传递到输出，
也可以从输出返还给输入。½实现½量双向流动。
½NPN 三极管的C-E不可以双向流动电流。通常只½从C流向E。
www.21dianyuan.com/bbs/27634.html
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Mosfet
和 三极管：在ON 状态区别：_电源论坛_世纪电源½
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25楼
zkybuaa
|
工程师
(1133) |
发消息
2010-12-09 22:13
½这是在重复我的问题啊。说说原因吧。
回复25楼
26楼
wsh5106
|
工程师
(1530) |
发消息
2010-12-09 22:17
这个应该与内部结构有关吧，少子与多子的移动。
回复26楼
27楼
zkybuaa
|
工程师
(1133) |
发消息
2010-12-09 22:20
晕菜~
MOS是单极性器件，哪里来的少子？
回复27楼
29楼
wsh5106
|
工程师
(1530) |
发消息
2010-12-09 22:23
我是说NPN或者PNP啊
回复29楼
30楼
zkybuaa
|
工程师
(1133) |
发消息
2010-12-09 22:25
我还以为½答复的是
MOS的D极和S极，有½区别呢~
不过即½是在说
NPN和PNP，½的说法也是有问题的。
多子的运动叫扩散运动，少子的运动叫漂移运动。两者有本质的区别。
回复30楼
32楼
blueskyy
|
总工程师
(12566) |
发消息
2010-12-09 22:32
张兄半导½知识，让人汗颜。
乘机给我们扫扫盲吧~
[本帖最后由
blueskyy
于
2010-12-09 22:33
编辑
]
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35楼
zkybuaa
|
工程师
(1133) |
发消息
2010-12-09 22:36
给½扫锤子盲，½还不知道我？
模拟电子这块知识，一瓶子不满，半瓶子咣½，呵呵~
回复35楼
34楼
wsh5106
|
工程师
(1530) |
发消息
2010-12-09 22:35
不管是扩散还是漂移，½可以称为移动。这个字眼不必计较了。
就以NPN为例：
扩散运动½成Ie，漂移运动½成Ic，我觉得这个方向是不½反的。
回复34楼
36楼
slamdunk
|
工程师
(523) |
发消息
2010-12-09 22:40
。。。。。。。。
多子和少子½有漂移和扩散运动。。。。扩散和浓度梯度相关，漂移运动是指在电场½用下½½流子的运动。。。
回复36楼
38楼
zkybuaa
|
工程师
(1133) |
发消息
2010-12-09 22:44
这个说法，是在模拟电路中讲解PN结的时候提到的。
www.21dianyuan.com/bbs/27634.html
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