Ｖ ½４ ½ １
½ ．１Ｎ ．１
１ ２
７
７
计算机与数字工程
Ｃ ½ ½½
Ｄ½ ½
½½½½ ½
½ ½ ½½ ＆ ½½ ½Ｅ ½½½½
½
½
总第
２ ９
期
８
２ １
年第
１
期
０３
１
ＭＯ Ｆ Ｔ
和
Ｉ Ｂ
的对比分析
ＳＥ
ＧＴ
柳
超
李慧芬
董颖辉
（
海军工程大学电子工程学院通信工程系
武汉
４ ０ ３
）
３０３
＊
摘
要
目前
，
开关管
ＭＯ Ｆ Ｔ
和
Ｉ Ｂ
是固态发射机常用的功率放大器
，
½是选择
ＭＯ Ｆ Ｔ
还是
Ｉ Ｂ
，
是 要 根 据 实 际 需 要
。
论
ＳＥ
Ｇ Ｔ
ＳＥ
Ｇ Ｔ
还
文对额定功率值相同的
ＭＯ Ｆ Ｔ
和
Ｉ Ｂ
进行对比分析
，
不仅从器件的构造与特征
、
电性½参数
、
温度效应等方面考虑
，
而且介绍了一种计
ＳＥ
Ｇ Ｔ
算总功耗
、
可½用开关频率和结温的方法
。
计算结果表明
：
Ｇ Ｔ
的总功耗略小于
ＭＯ Ｆ Ｔ
，
Ｇ Ｔ
优于
ＭＯ Ｆ Ｔ
。
ＩＢ
ＳＥ ＩＢ
ＳＥ
关键词
结温
；
功耗
；
金属氧化物场效应晶½管
；
绝缘双栅极型动率管
中图分类号
ＴＮ ２
８ １＋．
Ｄ Ｉ
１ ３ ６
／
．½ １ ７ － ７ ２．０ ３．１．１
６
Ｏ
：
０．９ ９½½ ½ ６ ２９ ２ ２ １ １ ０ ８
½
½
Ｃ ½ ½½½½Ｓ½ ½½
Ｓ Ｅ
½
Ｇ Ｔ
½ ½ ½½
½ ½
ＭＯ Ｆ Ｔ½ ½Ｉ Ｂ
½
Ｌ Ｕ
½ ½ Ｌ
½½½ ＤＯＮＧ
½½ ½
Ｉ Ｃ ½
ＩＨ ½½
Ｙ ½ ½½
（
½ ½½ ½½½
½ ½½½ ½
½½½½ ½ Ｅ½½½½ Ｉ½ ½½
，
Ｎ ½½Ｕ ½½½ ½½
½½½½ ½ Ｗ½ ½
４ ０ ３
）
Ｄ ½½½ ½
½Ｃ ½½ ½½½ ½Ｅ ½½½½
，
½½½½½ ½½ ½½ ½½
½½½½
½Ｅ ½½½½
，
½ ½ ３ ０ ３
½
½
½
½
½
Ａ½ ½½
Ｃ ½½½
，
ＭＯ Ｆ Ｔ½ ½ Ｇ Ｔ½½ ½
½ ½ ½ ½ ½
½ ½½½ ½ ½½
½½ ½½½ － ½½
½ ½ ½ ½ ． ½ ½½
，
½½½½
½ ½½
½½½½
½
Ｓ Ｅ
½
Ｂ
½½ ½
½ ½ ½ ½
½½ ½½½½
½ ½½½ ½½ ½½ ½ Ｈ ½ ½½ ½½
½ －
Ｉ
½½
½ ½½
½ ½½ ½
½ ½½
½
½
½
½½½
½ ½ ½
½ ½ ½ ½ ½ ½½
½½½½½ ½½ Ｆ ½
½ ½½ ½
½ ½½½ ½½ ＭＯ Ｆ Ｔ½ ½ Ｇ Ｔ
，
½
½ － ½½
½½½½½½
½ －
½½½½
½ ½
½½
½ ½½½½
½ ½ ½ ． ½
½ ½½½ ½ ½ ½
½½ ½
Ｓ Ｅ
½
Ｂ ½ ½ ½ ½½½½ ½ ½
½½½ ½
½
½½
½ ½
½½
Ｉ
½½
½ ½
½
½ ½
½½ ½ ½ ½½½½½½½
½½ ½½½½½½½½½
½½
½½½½½½½½ ½ ½½ ½
½½ ½½½½ ½½ ½ ½½½½½ ½½ ½ ½ ½½½½
½ ½ ½ ½
½
½ ½
½
½ ½½½
½ ½ ½
½
½½½½ ½½
½½½
，
½ ½ ½½ ½ ½ ½½
½
½½½½
½½
，
½
½
½½ ½ ½ ½½ ½
½½
½
½ ½
½
½ ½
½ ½ ½
½
½
½
½
½
½ ½
½ ½
½ ½
½
½
½ ½½
Ｉ
½½ ．½ ½½ ½½½ ½½½½ ½
½½ ½ ½½½½½½ ½
½½ ½½ ½ ½ ½½
½ ½ ½½½ ½ ½ ½ ½
½ ½½½½ Ｔ ½ ½½ ½ ½ ½½½
Ｇ Ｔ
½½ Ｉ
½
½½ ½½
½ ½ ½ ½
½½½
½ ½½ ½½
，
½½ ½½ ½½ ½ ½
½
½½ ½½ ½½½½ ． ½
½½
½
½½ Ｂ
½ ½ ½
½½½ ½
½ ½½½½ ½ ½ ＭＯ Ｆ Ｔ．
½
½½½ ½ ½½ ½
½
Ｓ Ｅ
½
Ｋ½ Ｗ ½½
½½½ ½½ ½ ½½½½ ½ ½ ½ ½½ ＭＯ Ｆ Ｔ
，
Ｇ Ｔ
½
½½
½ ½ ½
½½½½
，
½ ½
½
，
Ｓ Ｅ Ｉ Ｂ
½ ½
½
Ｃ½
½ ½½
ＴＮ ２
½½ Ｎ ½ ½
８ １＋．
½
６
１
引言
Ｉ Ｂ
（
½½½½ Ｇ ½
½½½
½½½ ½
）
绝 缘 双 栅 极
Ｇ Ｔ Ｉ ½½½
½½Ｂ½½½Ｔ ½ ½ ½½
，
½
½
是
和
型 功 率 管
，
由
ＭＯ Ｆ Ｔ
（
属 氧 化 物 场 效 应 晶 ½ 管
）
ＳＥ
金
结
Ｂ Ｔ
（
Ｊ
双极功率晶½管
）
合 而 成 的 复 合 全 控 型 电 压 驱 动 式
控
电力电子器件
。
它既具有
ＭＯ Ｆ Ｔ
的输入阻抗高
、
制 功
ＳＥ
率小
、
驱动电路简单
、
关 速 度 高 的 优 点
，
具 有 双 极 功 率
开
又
饱
电
晶½管的电 流 密 度 大
、
和 压 降 ½
、
流 处 理 ½ 力 强 的 优
因而被认为是一种可用于高压应用
、
电 流 和 快 速 终 端
强
点
，
１
设备的理想功率器件
［ ½
。
本 文 对 额 定 功 率 值 相 同 的
ＭＯ －
Ｓ
电
Ｆ Ｔ
和
Ｉ Ｂ
器件的 构 造 与 特 征
、
性 ½ 及 温 度 效 应 进 行
Ｅ
Ｇ Ｔ
计算了 在 相 同 拓 扑 电 路 和 应 用 条 件 下 的 总 功
了对比分析
，
耗
。
图
１
功率
ＭＯ Ｆ Ｔ
和
Ｉ Ｂ
的构造比较
ＳＥ
Ｇ Ｔ
２
构造与特征
功率
ＭＯ Ｆ Ｔ
的 构 造 和
Ｉ Ｂ
的 对 比 如 图
１
所 示
。
ＳＥ
Ｇ Ｔ
Ｉ Ｂ
是 通 过 在 功 率
ＭＯ Ｆ Ｔ
的 漏 极 上 ½ 加 层 而 构 成
Ｇ Ｔ
ＳＥ
［½
２
的
。
如图
２
所示
，
Ｇ Ｔ
器件实际就
Ｉ Ｂ
的理想等效电路
，
Ｇ Ｔ
ＩＢ
［½
是
ＭＯ Ｆ Ｔ
和双极晶½管
Ｂ Ｔ
的 组 合
３
，
就 是 说
，
沟
也
ＳＥ
Ｊ
Ｎ
道
Ｉ Ｂ
的等效电路以及工½机制相½于把
Ｎ
沟道增 强 型
Ｇ Ｔ
把
Ｎ
ＭＯ Ｆ Ｔ
½为输入端
，
Ｐ Ｐ
晶 ½ 管 ½ 为 输 出 端 的
ＭＯ
ＳＥ
Ｓ
型输入反向达林顿晶½管
。
修回日期
：
０ ３
年
６
月
２
日
２１
２１
３
＊
收稿日期
：
０ ３
年
５
月
９
日
，
½者简介
：
柳超
， ，
男 教授
，
博士生导师
，
研究方向
：
½艇通信
、
天线 研 究
。
李 慧 芬
， ，
士 研 究 生
，
究 方 向
：
关 功 率 放 大 器
。
董 颖 辉
，
女 硕
研
开
女
，
讲师
，
研究方向
：
½艇通信
。
图
２
Ｇ Ｔ
理想等效电路
ＩＢ
功率
ＭＯ Ｆ Ｔ
和
Ｉ Ｂ
均 属 于 电 压 全 控 型 器 件
，
通
导
ＳＥ
Ｇ Ｔ
２ １
年第
１
期
０３
１
计算机与数字工程
１ ３
７
７
与截止½是通过控制栅源电压来实现的
。
½ 然 在 门 极 上 外
½
在
加正电压即可导通
，
是 在 漏 极 上 ½ 加 层
，
导 通 状 态 下
，
＋
－
以
½
层 注 入 到
½
基 极 的 空 穴
，
½
基 极 进 行 电 导 调 制
，
对
－
４½５
½基极得½½流子浓度得到 显 著 提 高
［ ½
，
抗 减 小
，
而 降
阻
从
－
½了
½
基极的导 通 压 降
，
服 了 功 率
ＭＯ Ｆ Ｔ
导 通 电 阻
克
ＳＥ
高的缺点
，
½得
Ｉ Ｂ
在高压时仍具有较½的通态电阻
。
Ｇ Ｔ
在 具 ½ 应 用 中
，
般 希 望 曲 线 的 斜 率 为 负
，
时
一
此
器
Ｖ
ＣＥ
（
Ｎ
）
随着温 度 的 增 加 而 略 微 减 小
，
件 的 导 通 损 耗 小
。
Ｏ
½
ＭＯ Ｆ Ｔ
管一般具有比较大的正 向 斜 率 值
，
得 它 在 温 度
ＳＥ
器
由
２
升 至
１ ５℃
的 过 程 中
，
件 的 导 通 损 耗 增 加 两 倍 以
５℃
２
上
。
３
Ｇ Ｔ
和
ＭＯ Ｆ Ｔ
电性½的对比
ＩＢ
ＳＥ
相似功率容量的
Ｉ Ｂ
和
ＭＯ Ｆ Ｔ
的主要区别是
Ｉ －
Ｇ Ｔ
ＳＥ
Ｇ
Ｂ
速度可½慢于
ＭＯ Ｆ Ｔ
，
Ｇ Ｔ
存 在 关 断 拖 尾 时 间
½
½½
。
Ｔ
ＳＥ ＩＢ
½
½
死区时间也要加长
，
从而½响了 ½ 用 开 关 频
Ｉ Ｂ
的
½
½½
长
，
Ｇ Ｔ
½
½
率
。
表
１
是
Ｉ Ｂ
和
ＭＯ Ｆ Ｔ
可互换器件的主要电参数
。
Ｇ Ｔ
ＳＥ
表
１
ＭＯ Ｆ Ｔ
和
Ｉ Ｂ
的电参数
ＳＥ
Ｇ Ｔ
ＩＢ
Ｇ Ｔ
ＭＯ Ｆ Ｔ
ＳＥ
（
Ｐ １ Ｇ ６ Ｂ Ｆ
） （
Ｐ ６ ２ Ｂ Ｌ
）
Ａ Ｔ ５ Ｐ０ Ｄ
Ａ Ｔ ０９ Ｌ
额定电压
／
６ ０
Ｖ
０
额定电流
／
２
Ａ
７
总损耗
／
Ｗ
２０
５
６０
０
２
１
３０
０
５
图
３
Ａ Ｔ ５ Ｐ ０ Ｄ
开关管
Ｖ
Ｃ
（
Ｎ
）
与温度的关系曲线图
Ｐ １Ｇ ６Ｂ Ｆ
ＥＯ
４．
Ｇ Ｔ
和
ＭＯ Ｆ Ｔ
可½用开关频率
½
Ｍ
和结温
Ｔ
１ ＩＢ
ＳＥ
Ｓ
½
在大功率器件的½用中
，
所有参数½受器件结 温
Ｔ
的
½
限制
，
器件手册中给出
Ｔ
½
＝１ ０℃
，
½ 用 中 要 控 制
Ｔ
½
而
５
½
½
有实 验 表 明 温 度 每 增 高
２℃
，
靠 性 下 降
１
［ ½
。
可
１ ５℃
，
２
０％
８
所以
Ｉ Ｂ
是否优于
ＭＯ Ｆ Ｔ
，
要 考 虑 是 在 相 同 应 用 条
Ｇ Ｔ
ＳＥ
首
其次是可½用的开关频 率 可 否 近
件下
，
½
是否超过
１ ５℃
，
Ｔ
２
９
似
。
器件应用中的总功耗
Ｐ
［ ½
：
½
Ｖ
Ｇ
（
Ｈ
）
Ｖ
ＥＴ
／
４．
５
传导损耗参数
Ｖ
Ｃ
（
Ｎ
）
＝２．Ｖ
８
ＥＯ
½
（ ）
½
１
１
½½
／
½
½
Ｒ
Ｄ
（
Ｎ
）
＝０．３
３
Ω
ＳＯ
１
０
１
８
４
３
４
５
０．２
４
５０
８
２０
６
２１
６５
４０
２
４
７
½
／
½
½
½
½
（
½
）
½
½½½
／
½
½
／
½
½
½
Ｒ
½½
℃
／
Ｗ
½½
／
Ｅ
½
／
Ｊ
½
μ
Ｅ
½
／
Ｊ
½ ½
μ
Ｃ
½
／
Ｆ
½
½
½
Ｃ
½
／
Ｆ
½
½
½
Ｃ
½
／
Ｆ
½
½
½
２
５
６
６
９
０
０．
５
６０
５
７０
５
１８
６５
２０
１
１
５
Ｐ
＝
（
½
－
Ｔ
）
Ｒ
½½
＝
Ｐ
Ｃ
＋
Ｐ
Ｓ
＋
Ｐ
Ｄ
＋
Ｐ
Ｒ
Ｔ
½
½
／
½½
为
Ｐ
Ｃ
＝
Ｄ
·
Ｃ
·
Ｖ
ＣＥ
（
Ｎ
）
（ ·
２
·
Ｒ
ＤＳ
（
Ｎ
）
）
导 通 损 耗
，
Ｉ
Ｄ Ｉ
Ｄ
Ｏ
Ｄ
Ｏ
为占空比
，
ＣＥ
（
Ｎ
）
为导 通 压 降
，
ＤＳ
（
Ｎ
）
为 导 通 电 阻
，
Ｃ
为 应
Ｖ
Ｏ
Ｒ
Ｏ
Ｉ
用电流
。
为
Ｐ
Ｓ
＝
½
（
½
＋
Ｅ
½½
）
开 关 损 耗
，
Ｓ
为 ½ 用 开 关 频 率
，
Ｓ
Ｅ
½
½
½
Ｅ
½
和
Ｅ
½ ½
分别为一个周期内的开通和关断½量损耗
。
½
½
Ｐ
Ｄ
＝
Δ
Ｇ
·
Ｑ
Ｇ
·
½
为驱动损耗
，
Ｖ
Ｇ
为导通到关 断 的
Ｖ
Δ
Ｓ
栅电压
，
Ｇ
为栅电荷
。
Ｑ
需要注意的 是
，
响 传 导 损 耗 的 参 数 是 不 同 的
，
Ｇ Ｔ
½
ＩＢ
和
ＭＯ Ｆ Ｔ
的传导损耗 分 别 通 过 导 通 压 降 和 导 通 电 阻 来
ＳＥ
而
表示
。
Ｇ Ｔ
的传导 损 耗 与 电 流 成 正 比
，
ＭＯ Ｆ Ｔ
的 传
ＩＢ
ＳＥ
寄
导损耗与电流的平 方 成 正 比
。
另 外
，
生 电 容 是 ½ 响 动 态
特性的重要参数
，
例如
，
向 传 输 电 容
Ｃ
½
（
勒 电 容
）
要
反
主
½½
米
６
½响开关时间
［ ½
。
Ｐ
Ｒ
＝
（
Ｄ
）
Ｖ
Ｒ
·
Ｉ
为 关 断 损 耗
，
Ｒ
和
Ｉ
Ｒ
分 别 为
１－
·
Ｖ
Ｒ
反向电压和电流
。
一
因
Ｐ
Ｄ
、
Ｒ
和
Ｐ
Ｃ
、
Ｓ
相 比
，
般 是 很 小 的
，
此 可 ½ 略 不
Ｐ
Ｐ
２
计
。
所 以
（
½
－
Ｔ
）
Ｒ
½½
＝
Ｄ
·
Ｉ
·
Ｖ
ＣＥ
（
Ｎ
）
（ ·
Ｉ
·
Ｔ
Ｄ
½
／
½½
Ｃ
Ｏ
Ｄ
Ｒ
ＤＳ
（
Ｎ
）
）
½
·（
½
＋
Ｅ
½½
）
＋
Ｓ
Ｅ
½
Ｏ
½
而对于
Ｉ Ｂ
Ｇ Ｔ
½
½
Ｔ
＝
Ｒ
½½
×
［ ·
Ｃ
·
Ｖ
ＣＥ
（
Ｎ
）
＋
½
·（
½
＋
Ｅ
½½
）
＋
Ｔ
Ｄ Ｉ
Ｅ
½
½½
Ｏ
Ｓ
½
½
（）
１
对于
ＭＯ Ｆ Ｔ
ＳＥ
½
½
２
Ｔ
＝
Ｒ
½½
×
［ ·
２
·
Ｒ
ＤＳ
（
Ｎ
）
＋
½
（
½
＋
Ｅ
½½
）
＋
Ｔ
（ ）
Ｄ Ｉ
½½
Ｄ
Ｏ
Ｓ
Ｅ
½
½
½
对于
Ｉ Ｂ
Ｇ Ｔ
（
½
／
Ｅ
½
Ｉ
Ｓ
½
／
½½
Ｏ
½
½
＝
［
Ｔ
－
Ｔ
）
Ｒ
½½
－
Ｄ
·
Ｃ
·
Ｖ
ＣＥ
（
Ｎ
）
½ （
½
＋
Ｅ
½½
）
（）
３
对于
ＭＯ Ｆ Ｔ
ＳＥ
２
（
½
／
Ｅ
½
Ｉ
Ｓ
½
／
½½
Ｏ
½
½
＝
［
Ｔ
－
Ｔ
）
Ｒ
½½
－
Ｄ
·
Ｄ
·
Ｒ
ＤＳ
（
½
）
½ （
½
＋
Ｅ
½½
）
（）
４
１
１
对于式
（ ） （ ）
所有参 数 均 是 应 用 条 件 和 手 册
［
０½１
½
１
½
４
，
４
温度½响
不论
Ｉ Ｂ
管 还 是
ＭＯ Ｆ Ｔ
管
，
本 身 开 通 速 度 与 ½
其
Ｇ Ｔ
ＳＥ
量损耗均不受温度½响
。
½由于二极管内 的 恢 复 电 流 会 随
着温度的 升 高 而 增 大
，
而 增 加 了 器 件 导 通 时 的 ½ 量 损
进
７
耗
［ ½
。
ＭＯ Ｆ Ｔ
管 关 断 速 度 基 本 不 受 温 度 的 ½ 响
；
Ｇ Ｔ
ＳＥ
ＩＢ
管的关断速度会随着温度的升高而变慢
，
断 损 耗 也 增 大
。
关
½总½上
Ｉ Ｂ
管的½量损耗还是要小一些
，
是 由 于
Ｉ －
这
Ｇ Ｔ
Ｇ
少
½
Ｂ
管内部采用的
“
子 存 活 时 间 控 制
”
其 内 部 产 生 漏 电
Ｔ
流时间较短的缘故
。
Ｉ Ｂ
管随着集电极正向电流的增加
，
ＣＥ
（
Ｎ
）
的温 升 系
Ｇ Ｔ
Ｖ
Ｏ
数½会产生一个 由 负 数 到 正 数 的 变 化
。
图
３
所 示 为
Ｉ Ｂ
Ｇ Ｔ
在三种不同导通电流下的
Ｖ
ＣＥ
（
Ｎ
）
与温度关系曲线图
。
Ｏ
½
Ｉ
＝７．Ａ
时
，
线 斜 率 为 负
，
ＣＥ
（
Ｎ
）
随 着 温 度 的 增
曲
５
Ｖ
Ｏ
Ｃ
加而减小
；
Ｉ
＝１ Ａ
时
，
线 斜 率 趋 近
０
，
时
Ｖ
ＣＥ
（
Ｎ
）
随
½
Ｃ
曲
此
５
Ｏ
着温 度 的 增 加 基 本 不 变
；
Ｉ
＝３ Ａ
，
线 斜 率 为 正
，
½
Ｃ
０
曲
Ｖ
ＣＥ
（
Ｎ
）
随着温度的增加而变大
。
在进行电 路 设 计 时 应 充 分
Ｏ
考虑此温度系数曲线
。
中可查到的
。
４．
在相同拓扑电路和应用条件下
½
Ｍ
和结温
Ｔ
½
的计算
２
Ｓ
应用条件
：
桥式硬开关电路
，
½
＝１ ５℃
，
½
＝２
，
＝４ ０
，
＝
Ｔ
２
Ｔ
５℃
Ｖ
０ Ｖ
Ｉ
３ Ａ
，
＝０．
，
Ｓ
＝１ ０ Ｈ
，
ＧＥ
＝１ Ｖ
，
Ｇ
＝５
。
将 上 述 条
０
Ｄ
５
½
０ ½ ½
Ｖ
５
Ｒ
Ω
件代入式
（ ） （ ）
结果如表
２
所示
。
（
下½第
１ ４
页
）
１
½
４
，
８９
２ １
年第
１
期
０３
１
计算机与数字工程
（）
７．
１ ９
８
４
½ ½Ｐ ½½ Ｊ ．Ｃ ½ ½½
½½½ ½ ½
Ｃ ½½½２ １
（
０
）
½
½½
［ ½
½ ½ ½½ Ｍ ½½½ ½½ ＆ ½½½
，
０ ２ １
：
½
２ ３ － ７ ８．
７ ５２ ３
［ ½
孙 安 青
． ＲＭ
½½½ Ｍ
嵌 入 式 开 发 实 例 详 解
—
基 于
Ｎ Ｐ
４
Ａ
Ｃ ½½ － ３
Ｘ
北京航空航天大学出版社
，
０ ２．
Ｌ Ｃ ７ ８ Ｍ
½
北京
：
Ｐ １６
［
．
２１
Ｃ ½½ － ３ ½ ½ ½½ Ｄ ½½½ ½½ Ｅ －
Ｓ
½½½
ＵＮ Ａ ½½ ．Ａ
ＲＭ
½½½ Ｍ Ｅ ½ ½ ½
½½½ ½ ½
½
½ ½½
—
Ｂ ½½½
Ｘ
Ｐ １ ６
［ ½
½½½ Ｂ½½
½－
½ ½½ ½½
½ Ｎ Ｐ Ｌ Ｃ ７ ８ Ｍ ．Ｂ½½
：
½½½ Ｕ ½
½
½
½½½
½Ａ ½½ ½½½½ ½ Ａ ½½ ½½ ½Ｐ½½２ １
½½ ½½
½½ ½½
½
½½½ ½½
½½
，
０ ２．
½
½
½
［ ½
姜印平
，
刘江江
，
李杰
．
基于
Ｍ Ｐ ３
单片机的智 ½ 电 池 监 测 仪
５
Ｓ ４０
［½
仪器仪表学报
，
０ ８ ５
：
０ ０１
Ｊ．
２ ０
（ ）
１ ４ － ０．
ＪＡＮＧ Ｙ½½½ Ｌ Ｕ Ｊ ½½ ½
，
Ｌ
½ ． ½½½½½ Ｂ½½½
Ｉ
½ ½
½
½
½½½
，
Ｉ
½ ½ ½ ½ ＩＪ Ｉ½½½ ½
½½½
Ｍ ½ ½
½½
½ Ｍ Ｐ ３ Ｍ½½½½½ ½
½
［ ½
½½½
½½ ½Ｂ ½½½
Ｓ ４ ０ ½½½ ½½½ ½ Ｕ ½ Ｊ ．Ｃ ½½½
½
½
½
½
½ ½
Ｊ ½½½ ½Ｓ½½½½ ½½½ ½½２ ０
（ ）
１ ４ － ０ ３．
½ ½½
½ ½½ Ｉ½½ ½ ½
，
０ ８ ５
：
０ ０１ ４
［ ½
李晓阳
，
姜培刚
，
邬法磊
．
基于单总线协 议 的 温 度 监 测 系 统
［ ½
６
Ｊ．
工业控制计算机
，
０ ３ ３ ．
２１
（）
Ｌ
½½ ½ ½ ＪＡＮＧ Ｐ½½ ½ ＷＵ Ｆ½ ． ½½½½
½ ½½ －
ＩＸ½ ½ ½
，
Ｉ
½
½ ½
，
½½ Ｄ ½
Ｔ ½ ½½
½
½ ½
½½
½½½ ½Ｓ ½½
½½
½Ｓ½½
½
½½½½Ｊ ．½ ½ －
½½Ｄ ½½ ½
½½ ½ Ｂ ½½½
½½Ｂ ½Ｐ½½½
［½
Ｉ ½ ½
½
½
½ ½
½½½
½ ½ ½½２ １
（ ）
½ ½Ｃ ½½½Ｃ ½ ½½
，
０ ３ ３ ．
½
［ ½
刘同法
，
张琴艳
，
志 刚
． ＲＭ
½½½ Ｍ
外 围 接 口 电 路 与 工
肖
７
Ａ
Ｃ ½½ － ３
程实践基础 应 用
［ ½
北 京
：
京 航 空 航 天 大 学 出 版 社
，
０ ２
北
Ｍ ．
２１
Ｌ Ｕ
½ ½½ Ｚ
Ｉ Ｔ ½½
，
ＨＡＮＧ
½½ ½
，
Ｉ
½½ ½ ．Ａ
Ｑ½ ½ Ｘ ＡＯ Ｚ ½½ ½ ＲＭ
½½½
Ｃ ½½ －
Ｍ ½½½½½ ½½½½
½½½ ½ ½ Ｅ ½½½½½Ｐ½½ ½Ｂ ½
３Ｐ½ ½½ Ｉ½½½½Ｃ½½
½
½½½½
½½ ½
½½
½
½
½
½
½
Ａ ½ ½½ ½
［ ½
½½½ Ｂ½½
½½½½
½ Ａ ½½ ½½½
½ ½
½
½
½½ ½ ½ Ｍ ．Ｂ½½
：
½½½ Ｕ ½½½ ½ ½
½½ ½½
½
½
½
½ ½ Ａ ½½ ½½ ½Ｐ½½２ １
（ ）
½
½½½ ½½
½½
，
０ ２ ７ ．
［ ½
½志强
，
崔新会
，
郑艳娟
，
．
等 基于
５
单片机 的 铅 酸 蓄 电 池 充 电
８
１
器的实现
［½
福建电脑
，
０ ６ １
）
Ｊ．
２ ０
（
２ ．
ＨＥＺ ½½½
，
Ｃ ＩＸ½ ½
，
ＨＥ
½½½
，
½½ ．Ｒ ½ ½ －
½
½
½½ ½ Ｕ
½½½ Ｚ ＮＧ Ｙ ½½ ½ ½
½ ½½ ½
½ ½½
½½ Ａ½
½½½
½½½
½½
½ ＭＣ
１ Ｊ ． ½ ½
½
½Ｌ ½ － ½ Ｂ½½½Ｃ ½½½Ｂ ½½½
Ｓ５
［½
Ｆ ½ ½
½
½
½
Ｃ ½ ½½
，
０ ６ １
）
½ ½ ½½２ ０
（
２ ．
［ ½
谢卓
，
赵朋斌
．
种 锂 电 池 电 量 监 测 电 路 设 计 方 法
［ ½
现 代 电
一
９
Ｊ．
子技术
，
０ ２ １
：
９ － ９
２ １
（ ）
１ ２１ ４．
Ｘ ＥＺ ½
，
ＨＡＯ Ｐ ½ ½½．Ａ Ｄ ½ ½ Ｍ ½ ½
½Ｌ ＋ Ｂ½½½
Ｉ
½ ½ Ｚ
½½½
½ ½½
½½
½½ ½½
½
½
Ｍ ½ ½½½ Ｃ½½
［ ½
Ｍ ½½
½½½½½
½½½½
，
０ ２
½½ ½
½½½ Ｊ ． ½ ½½ Ｅ½½½½½ Ｔ ½ ½½ ½ ２ １
½ ½
½
（ ）
１ ２１ ４．
１
：
９ － ９
［
０
郭天祥
．
新概念
５
单片机
Ｃ
语言教程
［ ½
北 京
：
子 工 业 出
电
１
½
１
Ｍ ．
版社
，
０ ９．
２０
ＧＵＯ Ｔ½ ½½ ½ ½
½ ½½
１ Ｍ½½½½½ ½
½ ½ ½ ½
½
½½½½ ．Ｎ ½ Ｃ ½½½５ ½½½ ½½½ ½Ｌ ½ ½ ½
Ｔ ½½ ½ Ｍ
½
Ｂ½½
：
½½½½½ ½ ½½½Ｐ½½２ ０
½½½
［
． ½½½ Ｅ½½½½ Ｉ ½ ½½
½½
，
０ ９．
½
½
檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷檷
（
上接第
１ ７
页
）
７３
ＩＢ
ＳＥ
由表
２
可知
，
Ｇ Ｔ
和
ＭＯ Ｆ Ｔ
可 ½ 用 开 关 频 率 均 大
并且在相似额定功率的条
于
１ ０ Ｈ
，
０ ½ ½
而均小于
１ ５℃
要求
，
２
件下
，
Ｇ Ｔ
的总 功 耗 略 小 于
ＭＯ Ｆ Ｔ
，
Ｇ Ｔ
的 效 率 高 于
ＩＢ
ＳＥ ＩＢ
ＭＯ Ｆ Ｔ
，
Ｓ Ｅ
所以在上述条件下
Ｉ Ｂ
优于
ＭＯ Ｆ Ｔ
。
Ｇ Ｔ
ＳＥ
表
２
计算结果
３ － ８．
７３
［ ½
崔万恒
，
赵忠礼
，
玉 茹
． Ｉ Ｂ
代 替
ＭＯ Ｆ Ｔ
的 可 行 性 分
孟
用
Ｇ Ｔ
３
ＳＥ
析
［½
电源世界
，
０ ４ ３
：
９３
Ｊ．
２ ０
（ ）
２ － ０．
Ｃ ＩＷ ½ ½½ Ｚ
Ｕ
½ ½ ½
，
ＨＡＯＺ ½½
，
ＭＥ
½½． ½½ ½½
½½
½
ＮＧ Ｙ ½ Ｆ ½½ ½ ½Ａ ½－
½½
½ ½
½ ½ Ｒ ½½½ ½½½
Ｓ Ｅ
½Ｉ Ｂ Ｊ ．Ｔ ½ Ｗ ½ ½
½½
½
½½
½½½ ½ ½
½ ＭＯ Ｆ Ｔ ½
Ｇ Ｔ
［ ½
½
½½
½
Ｐ ½ ½Ｓ ½½
，
０ ４ ３
：
９３
½ ½
½ ½½ ２ ０
（ ）
２ － ０．
［ ½
½ ½½ ½Ｄ ½ ½
新型
Ｐ
Ｇ Ｔ
型 开 关 管 与
ＭＯ Ｆ Ｔ
型 开 关
４ Ｊ ½½½
½ ½ ．
ＴＩ Ｂ
ＳＥ
管的性½比较
［½
技术与应用
，
０ ３
，
９ １
）
７ － ８．
Ｊ．
２ ０ ４
（
１
：
６７
Ｊ ½½½
½ ½ ．Ｐ½½ ½ ½½ Ｃ ½ ½½½
½½ ½
ＴＩ Ｂ
½ ½½ ½Ｄ ½ ½ ½½½ ½ ½
½ ½½ ½ Ｂ½ ½½ Ｐ
Ｇ Ｔ
½
½ ½ ＭＯ Ｆ Ｔ
［ ½
½½ ½½½½ ½ ½ Ａ ½ ½½ ½
，
０ ３
，
９
½
Ｓ Ｅ Ｊ ．Ｔ ½ ½½½½
½
½½ ½ ½ ½ ２ ０ ４
½ ½
（
１
：
６７
１
）
７ － ８．
［ ½
． ½ ½
，
．Ｍ ½ ½ ½．
最 新 技 术 的
Ｉ Ｂ
和 功 率
ＭＯ
的 比
５ Ｊ Ｄ ½ ½ Ｊ ½½ ½
½
Ｇ Ｔ
Ｓ
较
［½
电力电子
，
０ ４ ３
：
８２
Ｊ．
２ ０
（ ）
１ － ０．
Ｊ ½ ½
，
．Ｍ ½ ½ ½． ½½½Ｔ ½ ½½½
ＴＩ Ｂ
½ ½
．Ｄ ½ ½ Ｊ ½½ ½ Ｌ½½
½½ ½½ ½Ｐ
Ｇ Ｔ½ Ｐ ½ ½
½
½
ＭＯ Ｆ Ｔ
［½
Ｐ ½ ½Ｅ½½½½½２ ０
（ ）
１ － ０．
Ｓ Ｅ Ｊ ． ½ ½
½½½½½
，
０ ４ ３
：
８２
［ ½
½½Ｂ½ ½ Ｃ ½
½ ． Ｇ Ｔ½
Ｓ Ｅ
：
½ ½½ Ｗ½½
［½
６ Ｃ ½
½½
，
½½ Ｂ ½ Ｉ Ｂ
ＭＯ Ｆ Ｔ Ｃ ½½
½½½ Ｊ ．
½ ½
½
½½
Ｉ½½½ ½ ½
½½½½２ ０
，
９ ２
：
８ － ８
½½½½ ½½Ｒ ½ ½
，
０ ５ １
（ ）
２ ６２ ７．
½
［ ½
Ｌ －Ｍ ½ ½
Ｉ ½½Ｅ½ ½½½Ｐ ½ ½Ｓ ½ ½½Ｊ ． ½½½
７ Ｌ Ｃ ½½ ½ Ｗ ．Ｈ½
½ ½ ½
½ ½
½½ ½
［½
Ｎ ½½
½
½½
½
Ｋ ½ ½ － ½ ½
½½½½
，
０ ２．
½½ ½Ｐ ½ ½Ｄ ½ ½½２ ０
½
［ ½
吴红奎
．Ｇ Ｔ
基 础 与 应 用 实 务
［ ½
北 京
：
学 出 版 社
，
０ ０
，
科
８
ＩＢ
Ｍ ．
２１
７
３．
［ ½
柳超
，
蒋华
，
黄金辉
．
甚½频通信
［ ½
北 京
：
½ 出 版 社
，
０ ８
，
海
１
Ｍ ．
２０
１ １．
８
Ｈ½
½
ＬＵＣ½
，
Ｉ
Ｉ
½ ½ ＪＡＮＧ
½
，
ＨＵＡＮＧ Ｊ ½½ Ｌ
½ ½½½
½ ½ ．Ｖ Ｆ Ｃ ½½ ½½ －
½ ½ Ｍ
½
Ｂ½½
：
½½
½½２ ０
，
８
½
［
． ½½½ Ｐ½½½ Ｔ½
，
０ ８ １ １．
½
½
½
［ ½
任瑞方
． Ｓ Ｅ
和
Ｉ Ｂ
性 ½ 的 比 较
［ ½
黑 龙 江 通 信 技 术
，
２
ＭＯ Ｆ Ｔ
Ｇ Ｔ
Ｊ．
２ ０
（ ）
３ － ８．
０ １ １
：
７３
Ｒ Ｎ Ｒ ½ ½ ． ½½½ ½ ½
½ ½½ ½
½ ＭＯ Ｆ Ｔ ½ ½Ｉ －
Ｅ
½ ½ ½ Ｐ½½ ½ ½½Ｃ ½ ½½ ½½
Ｓ Ｅ
½
Ｇ
½
½
Ｂ
［ ½
½ ½ ½ ½ ½ Ｃ ½½ ½½½ ½
½½ ½½ ½ ２ ０
（ ）
Ｔ Ｊ ．Ｈ ½ ½½ ½
½ ½½½ ½ ½ Ｔ ½ ½½½
，
０ １ １
：
½ ½
½
ＷＵ
½ ½ ½ ． ½ ½ ½ ½½
½
½½ ½ ½ ½Ｐ½½ ½½
Ｇ－
Ｈ ½ ½½ Ｆ ½ ½ ½½½ ½ ½ Ａ ½ ½½ ½
½½ ½
½
½
½ ½
½
Ｉ
Ｂ
［ ½
Ｂ½½
：
½½
½ ½½２ １
，
３．
Ｔ Ｍ ． ½½½ Ｐ½½½ Ｓ½ ½
，
０ ０ ７
½ ½
½
［ ½
耿文学
．Ｇ Ｔ
和 功 率
Ｆ Ｔ
工 ½ 特 性
［ ½
电 源 技 术
，
０ ６
（ ）
９
ＩＢ
Ｅ
Ｊ．
２０ ６
：
３ － ７．
０３
½
Ｇ ＮＧ
½ ½ ½ ½½½ ½ Ｃ ½½½½ ½ ½½½ ½½Ｉ Ｂ
½
Ｅ
Ｗ ½ ½ ．Ｏ ½½ ½
½½½½½ ½
½½ ½
Ｇ Ｔ ½ ½
½½
Ｆ Ｔ
［½
½½ －Ｅ½½½½½２ ０
（ ）
３ － ７．
Ｅ Ｊ ．Ｍ½½ ½½½½½
，
０ ６ ６
：
０３
［
０ Ａ Ｔ ５ Ｐ ０ Ｄ
［
Ｂ Ｏ
½
½½½． ½ ２ ½ ½．
１
½
Ｐ １Ｇ ６Ｂ Ｆ Ｄ
／
Ｌ ．
½ ½ ½．
½
½
［
１ Ａ Ｔ ０ ９ Ｌ
［
Ｂ Ｏ
½
½½½． ½ ２ ½ ½．
１
½
Ｐ ６２ Ｂ Ｌ Ｄ
／
Ｌ ．
½ ½ ½．
½
½
Ｐ
／
Ｗ
Ｐ
Ｃ
／
Ｗ
½
Ｗ
½
Ｍ
／
½
Ｔ
／
℃
ＫＨ
½
½
／
½
Ｓ
ＭＯ Ｆ Ｔ ２ ８．
１ ０．
８
ＳＥ
３ １ ３ ５ ４
ＩＢ
Ｇ Ｔ
２ ０．
４
０ ０ ２
１０
４
１８
２
１２
１
１５
１
１６
１
５
结语
从
Ｉ Ｂ
克服了功率
ＭＯ Ｆ Ｔ
导 通 电 阻 高 的 缺 点
，
而
Ｇ Ｔ
ＳＥ
降½了导 通 压 降
；
外 界 温 度 升 高 时
，
Ｇ Ｔ
和
ＭＯ Ｆ Ｔ
在
ＩＢ
ＳＥ
均有½量损 耗
，
Ｉ Ｂ
的 开 关 速 度 变 慢
，
总 ½ 上
Ｉ Ｂ
且
Ｇ Ｔ
½
Ｇ Ｔ
的½量损耗要小一些
；
桥 式 硬 开 关 电 路 和 相 同 应 用 条 件
在
下
，
Ｇ Ｔ
和
ＭＯ Ｆ Ｔ
可½用开 关 频 率 均 大 于
１ ０ ½
而
ＩＢ
ＳＥ
０ ＫＨ
，
均小于
１ ５℃
要求
，
并且
Ｉ Ｂ
的 总 功 耗 略 小 于
ＭＯ Ｆ Ｔ
。
２
Ｇ Ｔ
ＳＥ
综上所述
，
Ｇ Ｔ
优于
ＭＯ Ｆ Ｔ
。
ＩＢ
ＳＥ
参 考 文 献
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