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MOSFET特性参数的理解

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标签: 模拟电路

模拟电路

MOSFET特性参数的理解

功率MOS场效应晶½管技术讲座
功率MOSFET特性参数的理解
NEC电子股½有限公司
营业事业本部市场部
PMD技术支援部
1.
绝对最大额定值
任½情况下½不允许超过的最大值
绝对最大额定值
(T
A
=25 ℃)
额定电压
额定电流
额定功率
额定温度
额定雪崩
項目
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Total Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Single Avalanche Current
Single Avalanche Energy
略号
V
DSS
V
GSS
I
D(DC)
I
D(pulse)
P
T
T
ch
T
stg
I
AS
E
AS
V
GS
=0
V
DS
=0
T
c
=25 ℃
条件
定格
900
± 30
± 6.0
± 12
100
150
- ∼ +150
55
単½
½J
PW ≦ 10 μ s,Duty ≦ 1%
T
c
=25 ℃
Starting T
ch
=25 ℃
6.0
42.3
R
G
=25 Ω ,V
GS
=20V → 0
1.1 额定电压
V
DSS
:
漏极(D)与源极(S)之间所½½加的最大电压值。
G
栅极½源极之间短路
S
DS
V
GSS
: 栅极(G)与源极(S)之间所½½加的最大电压值。
漏极½源极之间短路
D
G
D
GS
S
-
GS
G
S
1.2
额定电流
I
D(DC)
: 漏极允许通过的最大直流电流值
此值受到导通阻抗、封装和内部连线等的制约
TC=25℃
(假定封装紧贴无限大散热板)
I
D(Pulse)
: 漏极允许通过的最大脉冲电流值
此值还受到脉冲½度和占空比等的制约
=
½
½½
+ :MOSFET的
额定电流
t
on
D
:
占空比
Ton :
导通时间
T
:
周期
- :寄生二极管
的额定电流
1.3
额定功耗
PT :
芯片所½承受的最大功耗。其测定条件有以下两种
TC=25
℃ 的条件…… 紧接无限大放热板,封装
C : Case
的简写
背面温度为25 ℃
(图1)
TA=25
℃ 的条件…… 直立安装不接散热板
A : Ambient
的简写
环境温度为25 ℃
(图2)
封装
散热板
印刷电路板
环境温度
T
=25℃
封装背面温度T½=25℃
(图1)
(图2)
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