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传统MOSFET和超结MOSFET的体二极管反向恢复特性评估

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2021-12-21
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传统MOSFET和超结MOSFET的体二极管反向恢复特性评估

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本文探讨了MOSFET中体二极管的反向恢复特性及其在高电压开关应用中的重要性。传统MOSFET的体二极管由于反向恢复速度慢，不适合作为续流二极管使用。然而，随着技术的进步，飞兆（Fairchild）公司通过特殊加工，成功提升了体二极管的性能，使其能够满足续流要求。文中还讨论了超结（Super Junction, SJ）MOSFET的设计，这种设计通过减少通态电阻和压降，提高了器件的性能。但SJ MOSFET的体二极管在反向恢复特性上存在不足。飞兆公司利用二维数字仿真技术，深入分析了反向恢复期间器件内部的物理过程，从而设计出了具有更强耐用性和快速反向恢复特性的SuperFET SJ器件。实验结果表明，SuperFET SJ器件的体二极管在高di/dt条件下表现出色，甚至在di/dt高达1000A/us时仍能正常工作。此外，飞兆公司还推出了具有快速恢复体二极管的SuperFET器件，这些器件不仅具有较低的反向恢复时间和存储电荷，还保持了良好的耐用性。这些进展为电力电子领域提供了更为可靠和高效的解决方案。

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