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RCD_箝位正激变换器的分析研究_陈道炼

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标签: 电源

电源

正激变换器

正激变换器

RCD_箝位正激变换器的分析研究_陈道炼

第2
9卷第2期
19
97年4月
Journal of
N anjing U niversity of A eronautics
&A
stronautics
V ol.
2 o.
9N 2
A pr
9
1 7
9
RCD
箝½正激变换器的分析研究
南京航空航天大学自动控制系
摘要
陈道炼
陈卫昀
严仰光
南京,
01 )
2 06
1
正激变换器因电路简单而广泛应用于中小功率变换场合。 ½是它的一个固有缺陷是功率
正确性。
正激变换器的工½原理,
给出了
RCD
箝½½络的设计准则和步骤。 实验结果证实了理论分析的
晶½管截止期间变压器必须磁复½,
因而需要采用附加的复½电路。 本文详细分析了
RCD
箝½
关键词:箝½电路;
½量平衡;
直流变流器;
箝½½络;
磁复½技术
中图分类号:
T M44 T M43
6
3
由于正激变换器具有电路简单、输入输出电气隔离、易于多路输出等优点,
因而广泛应
用于中小功率电源变换。½是,
正激变换器的一个固有缺点是功率晶½管截止期间变压器必
须磁复½,
因而需要复½电路。
地回馈到电½中去
其不足是:①功率开关承受两倍的电源电压应力;
②占空比
d
<0
5
.,
正激变换器变压器磁复½技术有½几种。 采用复½绕组法实现了变压器磁化½量无损
其唯一不足是增加了变换器
kHz
场合。 有源箝½技术 实现磁恢复是一种性½优良的方法,
3,
设计难度与成本。
RCD
箝½技术
具有线路简单、占空比
d
> .、功率开关电压应力½等
05
优点,
其不足是磁化½量部分消耗在箝½电阻中。
其缺点,
其原因是过大的
LC
谐振电流增加了功率开关导通损耗,
因此它通常应用在
f
S
0
2
感½量返回到电½中,
保证了变换器高效率;
½该技术在开关频率
f
S
>3
kHz
时便暴露出
0
压器漏感引起的功率开关关断电压尖峰。 采用无损
LCD
缓冲½络技术
可将磁化½量和漏
不适合½输入电源电压场合;
③复½绕组½变压器结构复杂化;
④需加
RC
缓冲½络抑制变
箝½正激变换器的工½原理、箝½½络的设计准则和步骤。
由于
RCD
箝½技术简单½廉,
因此它仍广泛应用于电源变换器中。 本文主要分析
RCD
1 RCD
箝½正激变换器稳态分析
假设输出滤波电感
L
、箝½电容
C
C
RCD
箝½正激变换器如图1所示。 为了简化分析,
足够大,
分别用电流源
I
0
、电压源
U
C
表示,
其简化电路及原理波½如图2所示。
收稿日期:
960
-
8
修改稿收到日期:
960
-
7
19
-
82
19
-
92
第一½者
陈道炼 男,
副教授,
6
1 4年8月生。
9
22
3
间:
第2
9卷
稳态工½时,
每个
PWM
开关周期分为六个区
整流二极管
D
1
t
0
t
1
:功率开关
S
t
0
时刻开通,
图1
RCD
箝½正激变换器
导通、箝½二极管
D
C
和续流二极管
D
2
截止;
渐减小,
2
中电流逐渐增大,
S
近似地看成由负½½折
D
C
算到原边的电流
I
0
N
线性充电;
一直到
t
3
C
S
继续由磁化电流
i
M
充电,
t
1
t
2
S
t
1
时刻关断,
2
将开通,
1
中电流逐
D
D
D
D
t
2
t
3
t
2
时刻,
DS
上升到
U
i
1
关断,
2
导通,
u
U
C
u
DS
U
i
变压器原边电流即磁化电流以-
U
C
L
M
斜率线性下
降到零;
C
S
开始谐振;
磁化电流衰减到零,
C
关断,
M
t
4
t
5
t
4
时刻,
D
L
t
3
t
4
t
3
时刻
D
C
开通,
DS
保持在
U
i
U
C
值上,
u
这段死区时间变压器端电压为
D
1
流动而保持恒定,
零, 时刻
S
再次开通开始了新的一个周期。
t
0
由上述分析可知,
变压器工½在一三象限双向磁
磁化电流通过
D
t
5
t
0
t
5
时刻,
DS
U
i
1
开通,
u
化,
提高了铁芯利用率。 在½输入电压满½½时,
占空比
区时间(
t
5
t
0
这样可保证功率开关最小的开通损耗
最大,
应该让整个截止时间½为变压器磁复½即无死
平衡原理,
箝½电容电压
u
DS
下降到
U
i
和最½电压应力。 据变压器伏秒面积
U
imin
max
d
N U
0
U
C
1-
d
max
1-
d
max
(1
图2
RCD
箝½正激变换器
及原理波½
变化量为
式(1 中, 为变压器匝比,
0
为输出电压。 磁化电流
N
U
Δ
M
I
U
i
on
T
N U
0
S
T
L
M
L
M
(2
1
1
量的减小应等于
L
M
上½量的增加,
C
S
U
2
L
M
I
M2
因此磁化电流量小值为
C
2
2
U
C
I
M
=-
L
M
/C
S
磁化电流最大值为
I
M
= Δ
M
I
M
I
式(2 中,
on
S
分别为导通时间、周期,
M
为磁化电感。
t
4
t
5
期间
L
M
C
S
谐振,
S
中½
T T
L
C
(3
N U
0
S
T
L
M
U
C
L
M
/C
S
(4
第2期
陈道炼等:
RCD
箝½正激变换器的分析研究
部分磁化½量(
t
2
t
3
期间
L
M
C
S
之间的谐振,
U
2
/R =
C
1
2
剩½磁化½量消耗
C
S
U
C
½移到
C
S
中,
2
在箝½½络中。 若考虑漏感½量,
据½量平衡观点可得
I
0
1
1
f
S
L
M
I
M2
C
S
U
2
f
S
L
1K
C
2
2
N
2
23
3
式(5 中,
1K
为漏感,
2
R
为箝½½络损耗。 由式(4
5
可得
L
U
C
(5
2
2 1/
由式(6 可知,
C
是由
f
S
M
S
1K
等电路参数决定的,
½它与电源电压
U
i
无关,
因而
U
L C L R
这½得功率开关有更½的电压应力。
1
N U
0
R
1 (
N U
0
2
R
2
I
0
U
C
=-
RC
S
+2
S
L
1K
R
f
2
2
f
S
L
M
N
L
M
/C
S
(6
2
箝½½络设计
2 V )
图3
a )
b )
c)
分别为不同漏感
L
1K
7
磁 化电感
L
M
S
包括功率
M OSFET
输出电
C
容、箝½二极管结电容、折算到原边的整流二极
管结电容、变压器绕组电容) 时,
C
U
in
与箝½
U
电阻
R
之间的关系曲线。
由图3½数曲线可知,
减小变压器漏感可
电路各参数½数曲线关系(
U
in
为额定输入电压
根据式(6 绘出箝½电压标么值
U
C
U
in
( a)
图3 不同电路参数时
U
C
U
in
与箝½电阻
R
关系曲线
( b)
( c)
21
箝½电压选取
.
1
2
M OSFET
的容性开通损耗
f
S
C
S
U
i
增大了。
2
减小箝½电压;
增大磁化电感可减小箝½电压;
增大
C
S
可降½箝½电压,
同时也½功率
½压满½½时
d
d
max
应保证变压器磁恢复,
24
3
第2
9卷
U
C
考虑到功率
M OSFET
电压应力不应超过其耐压值,
式(8 中,
( BR) DS
M OSFET
耐压值。 由式(7
8
可得
U
N U
0
1-
d
max
(7
(8
(9
U
DSmax
U
imax
U
C
U
( BR) DS
22
箝½电阻选取
.
N U
0
U
C
U
( BR) DS
U
imax
1-
d
max
由式(3
5
可得
R
=2
U
2
C
N U
0
2
T
S
2
U
0
U
C
N
I
0
f
S
L
1K
L
M
N
L
M
/C
S
1
2
(1 )
0
23
箝½电容选取
.
箝½电压变化量
Δ
C
可估算为
U
Δ
C
U
C
C
期间
D
C
关断,
箝½电容以
U
C
R
速率对
R
放电。
U
C
d
max
S
T
R
C
C
2
d
max
S
0
T
R
(1 )
1
(1 )
2
参照图4
t
t
3
D
C
开通,
t
4
期间原边
t
3
绕组电流即磁化电流对
RC
箝½½络充电,
t
5
t
4
若箝½电压纹波
Δ
C
U
C
= %,
5
则箝½电容为
U
3
图4 箝½电压
U
C
与箝½电流
i
C
波½
1
½
2
输出电压
U
0
7 V
10
满½½电流
U
i
8 3 V
I
0
= .
A
05
开关频率
f
S
5 kHz
6
变压器匝
N
= ∶
0
磁化电感
L
M
=2
0
μ ,
1 2
4 H
漏感
L
1K
=2
0
μ 。
功率开关选用
IRF52 10 V
2
H
3( 0
1
0 (100
箝½二极
A )
1
2
选用
FR17 0 V
A )
D D
D
C
选用
FR11 10 V
/ .
A )
S
=15
0
5( 0
15
0
C
7
pF
C
= . μ 。
在不同箝½电阻
R
下测得一
C
04 F
U
C
值,
如图5所示( 实线为理论计算值、*号
为实测值)
实验结果与理论分析一致。
图1所示
RCD
箝½正激变换器,
输入电压
图5 箝½电压与箝½电阻的关系曲线
4
文本对
RCD
箝½正激变换器½了详细的理论分析,
推导出箝½电压
U
C
R
M
1K
L L
第2期
陈道炼等:
RCD
箝½正激变换器的分析研究
25
3
减小箝½½络损耗
U
2
R
C
C
S
S
0
等参数的½数关系。 在保证变压器磁恢复的前提下,
f U I
0
效率要求不很高的场合具重大实用价值。
的关键是减小变压器漏感
L
1K
和增大磁化电感
L
M
RCD
箝½技术简单、价格½廉,
在对变换
1
丁道宏.电力电子技术.北京:航空工业出版社,
9
3 24
1 22
1
9
1
2
沈冬珍等.
L CD
无损吸收½络的应用研究.电力电子技术,
95 (4
5 3
19
) 3
8
4
徐德高等.脉½调制变换器型稳压电源.北京:科学出版社,
8
0 12
1 31
4
9
4
19
. -
0
0
Seminar Proceedings
9111 19
3 L eu C S
et al
Comparison of forw ard topologies w ith various reset schemes
In
V PEC
Analytical Study of RCD Clamped Forward Converter
( Department of A utomatic Control
U A A
N
Chen Daolian
Chen W eiy un
Yan Yangguang
2 06
1
N anjing
01 )
Abstract
al reset circuitry has to be used
he operating principle of RCD clamped forw ard convert
T
-
-
er is carefully analyzed
he design trade offs and procedures of the RCD clamped netw ork
T
are provided
T heoretical analysis is verified by the experimental results
reset technique
Key words
clamper circuits
energy balance
converter
clamped netw ork
magnetic
DC
Due to circuit simplicity
forw ard topology has been w idely used for low
- -
the
to
medium pow er conversion applications
One inherent limitation of the forw ard converter is
that the transformer must be reset during the pow er transistor off period
hus
T
addition
-
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