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Semiconductor Material and Device Characterization (Dieter K. Schroder)

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  • 2022-08-26
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标签: 半导体

半导体

This  Third  Edition  updates  a  landmark  text  with  the  latest  findings  The  Third  Edition  of  the  internationally  lauded  Semiconductor  Material  and  Device  Characterization  brings  the  text  fully  up-to-date  with  the  latest  developments  in  the  field  and  includes  new  pedagogical  tools  to  assist  readers.  Not  only  does  the  Third  Edition  set  forth  all  the  latest  measurement  techniques,  but  it  also  examines  new  interpretations  and  new  applications  of  existing  techniques.  Semiconductor  Material  and  Device  Characterization  remains  the  sole  text  dedicated  to  characterization  techniques  for  measuring  semiconductor  materials  and  devices.  Coverage  includes  the  full  range  of  electrical  and  optical  characterization  methods,  including  the  more  specialized  chemical  and  physical  techniques.  Readers  familiar  with  the  previous  two  editions  will  discover  a  thoroughly  revised  and  updated  Third  Edition  ,  including:  Updated  and  revised  figures  and  examples  reflecting  the  most  current  data  and  information  260  new  references  offering  access  to  the  latest  research  and  discussions  in  specialized  topics  New  problems  and  review  questions  at  the  end  of  each  chapter  to  test  readers\'  understanding  of  the  material  In  addition,  readers  will  find  fully  updated  and  revised  sections  in  each  chapter.  Plus,  two  new  chapters  have  been  added:  Charge-Based  and  Probe  Characterization  introduces  charge-based  measurement  and  Kelvin  probes.  This  chapter  also  examines  probe-based  measurements,  including  scanning  capacitance,  scanning  Kelvin  force,  scanning  spreading  resistance,  and  ballistic  electron  emission  microscopy.  Reliability  and  Failure  Analysis  examines  failure  times  and  distribution  functions,  and  discusses  electromigration,  hot  carriers,  gate  oxide  integrity,  negative  bias  temperature  instability,  stress-induced  leakage  current,  and  electrostatic  discharge.  Written  by  an  internationally  recognized  authority  in  the  field,  Semiconductor  Material  and  Device  Characterization  remains  essential  reading  for  graduate  students  as  well  as  for  professionals  working  in  the  field  of  semiconductor  devices  and  materials.  An  Instructor\'s  Manual  presenting  detailed  solutions  to  all  the  problems  in  the  book  is  available  from  the  Wiley  editorial  department.

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