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微柱状CsI闪烁薄膜热蒸发生长工艺

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标签: 微柱状CsI闪烁薄膜热蒸发生长工艺

微柱状CsI闪烁薄膜热蒸发生长工艺

采用真空热蒸发法在石英玻璃基片上制备了具有特殊微柱状结构的碘化铯闪烁薄膜。运用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和荧光光谱仪分别对碘化铯薄膜的形貌、结构及发光性能等进行了表征与分析。结果表明:在基片温度为260  ℃、沉积速率为3  nm·s-1时,所生长的碘化铯薄膜具有理想的微柱形貌、沿(110)晶面的择优取向和良好的透射性能;紫外光激发下,发射主峰为  438  nm,X射线激发下,发射主峰为315  nm,说明短波段发射峰需要的激发能量较高,而长波段发射峰对紫外光激发更为敏感。

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