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脊形波导激光器中Ga In P/A lGa In P选择蚀刻

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  • 2013-09-19
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标签: 激光器

激光器

摘要:本文制做了670nmGaInPöAlGaInP应变层单量子阱脊形波导激光器。为了进一步优化工艺,在普通的单量子阱材料横向结构中嵌入了30~50nm的GaInP蚀刻阻挡层。用此种材料加工而成的腔长1200Lm、宽64Lm的氧化条激光器的阈值电流密度为340Aöcm2。采用配比为1.0∶2.5的HCl∶H2O溶液对GaInPöAlGaInP进行湿蚀刻研究,得到了较好的选择蚀刻性结果。关键词:GaInP/AlGaInP;蚀刻阻挡层;选择蚀刻性

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