_Flash的性能与选用 FLASH性能与选用 当前的存储器种类繁多，功能，用途不一，但是按照存储器所使用的材料或存储原理，可将目前的存储器分为三种类型，分别是半导体，磁介质和有机塑料；半导体用做Flash，主要是U盘，固态硬盘等，是以PN节来存储数据信号的；磁介质的主要是硬盘，磁带等，是以磁信号来存储数据的；有机塑料主要是用作CD，是依靠激光头在CD表面灼烧，形成细微的凹凸来记录数据的。 总体上说，Flash可分为二大类，一是NAND型，一是NOR型。NAND是与非门Flash，NOR是或非门Flash。他们都有掉电不丢失数据,大容量,低成本的优点.具体来说，NAND规格为快闪记忆体，像硬盘，以储存数据为主，又称为DataFlash，晶片容量大，目前主流容量已达到Gb级；NOR的规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为CodeFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb左右。 Intel于1988年首先开发出NORflash技术，彻底打破了原先以EPROM和EEPROM为主的局面。紧接着，1989年，东芝公司发布了NANDflash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。 NOR的特点是读取速度块，程序代码在芯片内执行(XIP, eXecute InPlace)，也就是应用程序直接在Flash内运行，不必把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的使用范围。 NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度。它主要分为两种，分别是SLC和MLC，它们属于两种不同类型的NANDFL……
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