超外差与零中频的比较各有优缺点，从成本上考虑ZIF零中频较低，BOM大大地减少，而且容易集成，所以现在手持设备的芯片基本上是采用零中频的架构。超外差架构需要SAW滤波器，成本高，而且占面积，优点是可以优化得很好。零中频的问题是LO泄露，DC Offset，flickernoise噪声和IP2(AM Suppression)问题，设计难度大。1， LO和RF频率相同，LO的频率可以直接泄漏到入射信号端，形成很强的LO泄漏干扰2，由于基带信号在零频附近，由于偶次失真项引起的干扰开始影响接收机的性能，如偶次项失真产生的DC部分会影响电路的直流工作点，形成DCoffset，另外一个偶次项失真就是IP23，基带附近的FlickerNoise替代了原来的高斯白噪声，形成基底噪声，影响接收机的信躁比4，直接在RF进行IQ分离，会出现IQ通路很难匹配；5，基带滤波器通常采用有源滤波器实现，在IC Layout中占很大面积，而且NoiseFigure很大只要克服上述主要缺点，零中频和低中频还是一种趋势2， 1)本振泄漏(LO Leakage)零中频结构的本振频率与信号频率相同,如果混频器的本振口与射频口之间的隔离性能不好,本振信号就很容易从混频器的射频口输出,再通过低噪声放大器泄漏到天线,辐射到空间,形成对邻道的干扰;2)偶次失真(Even-Order Distortion两个高频干扰经过含有偶次失真的LNA将产生一个低频干扰信号。若混频器是理想的,此信号与本振信号coswLOt混频后,将被搬移到高频,对接收机没有影响。然而实际的混频器并非理想,RF口与IF口的隔离有限,干扰信号将由混频器的RF口直通进入IF口,对基带信号造成干扰。3)直流偏差(DC Offset)直流偏差是零中频方案特有的一种干扰,它是由自混频(Self-Mixing)引起的。泄漏的本振……
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