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电路设计基础知识(4)——半导体器件.doc

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                        电路设计基础知识(4)——半导体器件|电路设计基础知识(4)——半导体器件                                          ||一、  中国半导体器件型号命名方法                                            ||半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN  ||型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义||如下:                                                                              ||第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管    ||第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时||:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管||时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。||                                                                                      ||第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管||、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-||光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-||雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管  ||、PIN-PIN型管、JG-激光器件。                                                ||第四部分:用数字表示序号      ……                       

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文档解析

本文详细介绍了半导体器件的型号命名方法和参数符号及其意义,涵盖了中国、美国以及国际电子联合会的标准。中国半导体器件型号由五部分构成,包括有效电极数目、材料和极性、内型、序号和规格号。例如,3DG18表示一个NPN型硅材料的高频三极管。美国半导体分立器件的命名较为混乱,但遵循一定的规则,如JAN2N3251A代表一个PNP硅高频小功率开关三极管。国际电子联合会的命名方法则由四个基本部分组成,包括使用材料、器件类型及主要特征、登记号和分档标志。此外,文档还列举了大量半导体二极管和双极型晶体管的参数符号,如电容、电流、电压、功率、电阻和时间等,为电子工程师提供了详尽的参考信息。

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