IRFF210 pdf,IRFF210 datasheet

2.2A,  200V,  1.500  Ohm,  N-ChannelPower  MOSFETThis  N-Channel  enhancement  mode  silicon  gate  power  fieldeffect  transistor  is  an  advanced  power  MOSFET  designed,tested,  and  guaranteed  to  withstand  a  specified  level  ofenergy  in  the  breakdown  avalanche  mode  of  operation.  All  ofthese  power  MOSFETs  are  designed  for  applications  suchas  switching  regulators,  switching  convertors,  motor  drivers,relay  drivers,  and  drivers  for  high  power  bipolar  switchingtransistors  requiring  high  speed  and  low  gate  drive  power.These  types  can  be  operated  directly  from  integratedcircuits.Formerly  developmental  type  TA17442.