文档解析
本文是关于功率 MOSFET 基本特性的详细介绍。主讲人罗波首先概述了功率 MOSFET 的发展历程和主要结构，如 VDMOS 和 IGBT。文章讨论了功率 VDMOS 的发展趋势，包括新材料（如 SiC）和新结构（如 Trench MOS 和 Super Junction）。功率 VDMOS 的应用广泛，涵盖开关电源、通信设备、汽车电子等领域。文中还介绍了半导体的基本知识，包括能带结构、费米能级和载流子分布。详细讲解了 MOSFET 的工作原理、阈值电压、IV 特性及其影响因素。此外，还探讨了功率 MOSFET 的动态特性、常见结构和安全工作区（SOA）。最后，文章介绍了 CoolMOS 技术，展示了其在功率 MOSFET 领域的创新应用。
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