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IGBT器件新发展及应用

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标签: IGBT

  绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。

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Power for the Better IGBT 赵善麒 江苏宏微科技股份有限公司 2014年11月16日,常州 Power for the Better CONFIDENTIAL Power for the Better 报告内容 1 2 3 4 IGBT 的需求 IGBT 芯片技术新发展 IGBT 封装技术新发展 IGBT 的应用 Power for the Better CONFIDENTIAL 电力半导体器件的应用 Power for the Better CONFIDENTIAL 3 变频器 Power for the Better CONFIDENTIAL 4 逆变电源 Power for the Better CONFIDENTIAL ......

Power for the Better IGBT 赵善麒 江苏宏微科技股份有限公司 2014年11月16日,常州 Power for the Better CONFIDENTIAL Power for the Better 报告内容 1. 2. 3. 4. IGBT 的需求 IGBT 芯片技术新发展 IGBT 封装技术新发展 IGBT 的应用 Power for the Better CONFIDENTIAL 电力半导体器件的应用 Power for the Better CONFIDENTIAL 3 变频器 Power for the Better CONFIDENTIAL 4 逆变电源 Power for the Better CONFIDENTIAL
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