详细解析CGS,CDS,CGD电容，米勒平台
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pic 由于器件里的耗尽层受到了电压影响，电容Cgs和Cgd随着所加电压的变化而变化然而 相对于Cgd，Cgs受电压的影响非常小，Cgd受电压影响程度是Cgs的100倍以上 如图10所示为一个从电路角度所看到的本征电容受栅漏和栅源电容的影响，感应到的 dvdt会导致功率管开启 pic 图10 功率管的本征电容 简单的说，Cgd越小对由于dvdt所导致的功率管开启的影响越少同样Cgs 和Cgd形成了 电容分压器，当Cgs 与Cgd比值大到某个值的时候可以消除dvdt所带来的影响，阈值电 压乘以这个比值就是可以消除dvdt所导致功率管开启的最佳因数，APT功率MOSFET在这 方面领先这个行业 Ciss ：输入电容 将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容Ciss是由栅漏电 容Cgd和栅源电容Cgs并联而成，或者 Ciss Cgs Cgd 当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电致一定值时器件才可以关断因此驱 动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响 Coss ：输出电容 将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是......
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