低压降稳压器在CMOS技术中的发展

对低压设备的需求已开始开发歧管低压降（LDO）调节器。  本文介绍了已在CMOS技术中实现的各种LDO框架以及与LDO参数有关的框架的影响。  LDO体系结构通过其电源抑制（PSR）和瞬态响应性能进行评估。  瞬态响应性能主要取决于所添加的缓冲器，而PSR性能取决于传输设备的电容和LDO环路增益。

The  demand  for  low  voltage  devices  has  initiated  the  development  of  Low  Drop  Out  (LDO)  regulator  in  manifold.  This  paper  presents  areview  of  various  LDO  frameworks  that  have  been  implemented  in  CMOS  technologies  and  the  impact  of  frameworks  related  to  the  parameters  ofthe  LDO.  The  LDO  architecture  is  evaluated  through  its  Power  Supply  Rejection  (PSR)  and  transient  response  performance.  The  transient  responseperformance  mostly  depends  on  the  added  buffer  and  the  PSR  performance  depends  on  the  pass  device  capacitance  and  the  LDO  loop  gain.