热搜关键词: 电路基础ADC数字信号处理封装库PLC

pdf

功率MOSFET应用研究及主电路设计

  • 1星
  • 2021-02-23
  • 15.97MB
  • 需要1积分
  • 10次下载
标签: MOSFET

MOSFET

功率MOSFET应用研究及主电路设计,西安理工大学硕士学位论文。

展开预览

文档解析

西安理工大学的硕士学位论文《功率MOSFET应用研究及主电路设计》由余娟撰写,孙强教授指导,主要研究了磁控溅射镀膜技术中的靶极电源设计。论文首先分析了磁控溅射工艺背景,确定了倍流整流方式ZVSPM直流变换器作为靶极电源的主电路,并进行了参数设计和仿真,取得了良好效果。接着,论文介绍了功率MOSFET作为主功率开关器件的驱动特点和驱动参数计算,并设计了相应的驱动电路。针对MOSFET并联扩容问题,分析了影响静态不均流的因素,并提出了解决措施。此外,论文还探讨了MOSFET在开关过程中出现的电压尖峰、电流尖峰和开关损耗问题,并设计了缓冲电路以提高可靠性。最后,论文提出了改进型CDRZVSPWM全桥变换器和三电平直流变换器,以适应不同功率和频率要求的磁控溅射靶极电源设计。通过这些研究,论文为高性能磁控溅射离子镀膜电源的研制提供了理论依据和技术支持。

猜您喜欢

评论

登录/注册

意见反馈

求资源

回顶部

推荐内容

热门活动

热门器件

随便看看

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
×