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带编码无线发射芯片

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标签：带编码无线发射芯片

RF112 编码发射芯片集成RF声表振荡发射电路和PT2260 及1527编码芯片，芯片具有编码选择端口，用户可选择2260编码或者1527编码。选择1527编码，无须手动设置地址，每个芯片都是唯一的编码地址，100万组编码不重复。RF112 内部声表稳频，性能稳定，贴片封装，特小体积，无外围零件，无需调试，可以实现现有的发射电路+编码芯片方案，

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安阳市新世纪电子研究所自带编码无线发射芯片 RF112 RF112 RF112 RF112 产品规格书芯片简介芯片简介芯片简介芯片简介 RF112 编码发射芯片集成 RF 声表振荡发射电路和 PT2260 及 1527 编码芯片，芯片具有编码选择端口，用户可选择 1527 编码或者 2260 编码选择 1527 编码，无须手动设置地址，每个芯片都是唯一的编码地址，100 万组编码不重复RF112 内部声表稳频，性能稳定，贴片封装，特小体积，基本无外围零件，无需调试，可以实现现有的发射电路编码芯片方案，降低用户产品成本 RF112 内置按键检测自动关断功能，待机功耗极小，具有输出端过流保护过温保护欠压异常保护等功能待机电流只有 01uA，可以使用 2032 纽扣电池供电 RF112 只需要加几个按键，在天线输出端加 2 个电感 3 个电容的匹配网络天线，即可做成一个符合 FCC 等认证标准的无线遥控器 RF112 也可以采用简单的天线匹配网络，从信号输出端 9 脚接一个电感电容及一根 1522 厘米长直导线即可达到较好的发射效果RF112 内置小功率放大，RF 内部需......

安阳市新世纪电子研究所

（自带编码无线发射芯片）

RF112

产品规格书

芯片简介

RF112

编码发射芯片集成

声表振荡发射电路和

PT2260

及

1527

编码芯片，芯片具有编

码选择端口，用户可选择

1527

编码或者

2260

编码。选择

1527

编码，无须手动设½地址，每个芯

片½是唯一的编码地址，100 万组编码不重复。RF112 内部声表稳频，性½稳定，贴片封装，特小

½积，基本无外围零件，无需调试，可以实现现有的发射电路+编码芯片方案，降½用户产品成本。

RF112

内½按键检测自动关断功½，待机功耗极小，具有输出端过流保护、过温保护

欠压

异常保护等功½。待机电流只有

0.1uA，可以½用 2032

½扣电池供电.

RF112

只需要加几个按键，在天线输出端加

个电感

个电容的匹配½络天线，即可做成一

个符合

FCC

等认证标准的无线遥控器。

RF112

也可以采用简单的天线匹配½络，

从信号输出端

脚接一个电感电容及一根

15-22

厘米

长直导线即可达到较½的发射效果。RF112 内½小功率放大，RF 内部需要通过

脚提供电压才½

输出较大的发射功率。RF112 特小的½积可以做成一个微型编码发射器。

RF112

有

315M

和

433.92M 2

种频率。特殊频率需要定做。

芯片特点

•

发射功率：10dBm

调制模式：OOK/ASK

关断电流：0.1uA

发射电流：10mA

芯片应用

•

安防门禁系统・无线报警

安全防火系统・无线遥控

遥控报警系统・智½家居

安阳市新世纪电子研究所

芯片框图

引脚定义

引脚

引脚名称

GND

TEST0

RF112

的

A1-A5

对应

2260

的

A3-A7

A0-A2

芯片内设½为悬空码

11-14

GND

RF-OUT

LED

D3-D0

VDD

I/O

数字地

编码选择

接

VDD=2260

接

GND=1527

功½

TEST0=VDD

TEST0=GND

地

2260

地址输入端(3 态编码）

1527

编码

A3-A7

必须接

GND

3-7

功率放大器输出

数据发射指示灯

数据输入½

(对应 1527 D3=K3

芯片频率端口，客户必须接

GND

电源电压(推荐

3.3V）

D0=-K0)

安阳市新世纪电子研究所

电气特性

极限工½条件

参数

电源电压范围

工½环境温度范围

工½结温范围

储存温度

符号

VDD

TSTG

最小值

1.5

－40

－50

最大值

5.0

150

单½

℃

注

为保证器件可靠性和寿½，以上绝对最大额定值不½超过。否则，芯片可½立即造成永久性损

坏或者其可靠性大大恶化。若输入端电压在可½超过

VDD/GND

的应用环境中½用，推荐½用一个

外部二极管来保证该电压不会超过绝对最大额定值。

推荐工½条件

参数

电源电压

工½环境温度

负½½阻抗

符号

VDD

条件

最小值

1.8

-30

典型值最大值单½

3.6

℃

直流特性（DC）

直流特性（DC

DC）

VSS=0V, VDD=3V, Ta=25ºC,

除非特殊说明.

参数

电源电压

工½电流

关断电流

符号

VDD

IDD

ISD

条件

最小值典型值最大值单½

0.2

µA

VDD=3V 10dBm

D<0:3> floating

0.1

安阳市新世纪电子研究所

模拟特性

VSS=0V, VDD =3V, Ta=25ºC,315M

模式, 除非特殊说明.

参数

输出功率(315M)

符号

条件

RL=50Ω , VDD=3V

RL=50Ω , VDD=3.6V

最小值

典型值

1.664

1.208

最大值

单½

dBm

输出功率(433M)

RL=50Ω , VDD=3V

RL=50Ω , VDD=3.6V

数字编码（码½）

315M

433.92M

½½波温度系数

½½波相对频率稳定度

½½波绝对频率精准度

½½波稳定时间

二次谐波

三次谐波

VDD=3V, (-30℃,70℃)

VDD=3V, Ta=25℃

±50

ppm/℃

Khz

±200

±400

VDD=3V, Ta=25℃

-47

-52

RF112

½½波

433.92

下典型匹配½络参数(推荐

DEMO

板量测得到的值,不同

DEMO

板需要实际调整)

560n

470n

33n

47n

27n

12p

功率(dBm)

11.4

11.7

11.3

二次谐波(dBm) 三次谐波(dBm) 备注

-32

-37

-37.5

-36

举报人：
被举报人：	安阳市新世纪
举报的资源分：	1
* 类型：
	请您提供公司营业执照和软件相关版权到service@eeworld.com.cn
* 详细原因：

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