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ATSAME70Q19B-CFNT
描述:ARM® Cortex®-M7 series 微控制器 IC 32-位 300MHz 512KB(512K x 8) 闪存 144-LFBGA(10x10) 类别: 厂商名称: 系列:SAM E70
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STM32G081RBI6
描述:ARM® Cortex®-M0+ series 微控制器 IC 32-位 64MHz 128KB(128K x 8) 闪存 64-UFBGA(5x5) 类别: 厂商名称: 系列:STM32G0
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IAUC120N04S6L009ATMA1
描述:表面贴装型 N 通道 40 V 150A(Tc) 150W(Tc) PG-TDSON-8-34 类别: 厂商名称: 系列:OptiMOS™-6
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EN29F040A-70TI
描述:4 Megabit (512K x 8-bit) Flash Memory 是否Rohs认证:不符合 厂商名称:Eon 包装说明:TSSOP, TSSOP32,.8,20
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CAT3626_08
描述:LED DISPLAY DRIVER, QCC16 最大工作温度:85 Cel 功能数量:1 端子数量:16
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SMBJ90C
描述:600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA 是否Rohs认证:符合 厂商名称:Uniohm Corp. 是否无铅:不含铅
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PS-DA0263-02
描述:DC-AC INVERTER UNIT 8 W DUAL OUTPUTS
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N3431-5003
描述:34 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER ECCN代码:EAR99 是否Rohs认证:不符合 Reach Compliance Code:compliant
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SIT1618BA-33-33E-12.000000Y
描述:OSC MEMS 12.0000MHZ LVCMOS LVTTL 类型:MEMS(硅) 频率:12MHz 功能:启用/禁用
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IPD068N10N3G
描述:漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A 栅源极阈值电压:3.5V @ 90uA 漏源导通电阻:6.8mΩ @ 90A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W 类型:N沟道 N沟道,100V,90A,6.8mΩ@10V 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A 栅源极阈值电压:3.5V @ 90uA
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