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半导体器件物理与工艺 第3版

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  • 2022-11-26
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标签: 半导体

半导体

本书综合了半导体物理和晶体管原理两部分内容,1-3章介绍了半导体材料、PN结、半导体表面的特性,4-5章系统阐述了双极型、MOS型晶体管的结构和工作原理,第6章简要介绍了其他几种半导体器件。全书根据高等职业教育的特点来编写,在内容上侧重于物理概念与物理过程的描述,并注意与生产实践相结合,适当配置了工艺和版图方面的知识。同时在各章节编写了实验,方便在教学中选用。本书可作为高职高专微电子技术及相关专业的教材,也可供半导体行业工程技术人员参考。

本书分三大部分:第一部分“半导体物理”主要描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的半导体材料上。第二部分“半导体器件”讨论所有主要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始,接下来讨论双极型和场效应器件,最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。第三部分“半导体工艺”介绍从晶体生长到掺杂等工艺技术。

第0章  引言

0.1  半导体器件

0.2  半导体工艺技术

总结

参考文献

第1部分  半导体物理

第1章  能带和热平衡载流子浓度

1.1  半导体材料

1.2  基本晶体结构

1.3  共价键

1.4  能带

1.5  本征载流子浓度

1.6  施主与受主

总结

参考文献

习题

第2章  载流子输运现象

2.1  载流子漂移

2.2  载流子扩散

2.3  产生与复合过程

2.4  连续性方程

2.5  热离化发射过程

2.6  隧穿过程

2.7  空间电荷效应

2.8  强电场效应

总结

参考文献

习题

第2部分  半导体器件

第3章  p—n结

3.1  热平衡状态

3.2  耗尽区

3.3  耗尽电容

3.4  电流—电压特性

3.5  电荷存储与瞬态响应

3.6  结击穿

3.7  异质结

总结

参考文献

习题

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