文档解析
本文是关于宽带隙技术在电机驱动应用中的研究和讨论。宽带隙技术，特别是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的应用，因其高击穿电压、高热导率、低导通阻抗等特性，在提高电机驱动效率、减小体积重量、降低成本和增强容错能力方面显示出巨大潜力。文中详细探讨了超高开关频率（UHSF）PWM调制逆变驱动器的影响，包括电机端子过电压、共模电流和电磁干扰（EMI）问题，以及这些因素对电机效率和性能的影响。此外，文中还介绍了多种逆变器拓扑结构，如多电平逆变器（MLI）、非对称混合多电平逆变器（AHMLI）和开式绕组电机驱动（OWMD），这些技术有助于降低电压应力、减少EMI和提高系统效率。最后，文中讨论了集成电机驱动（IMDs）的优势，以及宽带隙技术在不同应用中的市场潜力和挑战。
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