功率场效应晶体管MOSFET雪崩耐量分析

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标签： MOSFET 雪崩耐量分析

功率场效应晶体管MOSFET雪崩耐量分析　Electronic applications have progressed significantly in recent years and have inevitably

　　increased the demand for an intrinsically rugged power MOSFET. Device ruggedness is

　　defined by the capacity of a device to sustain an avalanche current during an unclamped

　　inductive load switching event. However, the avalanche ruggedness performance of a

　　power MOSFET is normally measured within the industry as a single-shot Unclamped

　　Inductive Switching (UIS) avalanche energy or EAS. Whilst this provides an easy and quick

　　method of quantifying the robustness of a MOSFET in avalanche, it does not necessarily

　　reflect the true device avalanche capability (see Ref. 1, Ref. 2 and Ref. 3) in an

　　application.

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