文档解析
本书《Wide Bandgap Semiconductor Power Devices》由B. Jayant Baliga编辑，涵盖了宽禁带半导体功率器件的材料、物理、设计和应用。书中首先介绍了Baliga于1979年提出的Baliga图（BFOM），用于预测用宽禁带半导体材料替代硅时功率器件性能的提升。随后，详细讨论了硅碳化物（SiC）和氮化镓（GaN）这两种成熟的宽禁带半导体材料及其在高电压、高频率应用中的潜力。
书中深入探讨了SiC和GaN的物理特性、材料缺陷、以及它们在功率器件设计中的应用，包括肖特基二极管（SBD）、功率MOSFET、IGBT以及GaN的高电子迁移率晶体管（HEMT）。特别强调了SiC功率二极管和晶体管的设计和制造，以及GaN功率器件在智能功率集成电路中的应用前景。此外，书中还讨论了SiC和GaN功率器件在各种应用中的潜在优势，如太阳能光伏逆变器、电动汽车充电器、不间断电源等，并提供了市场分析和未来发展的预测。
总的来说，这本书为功率电子领域的研究人员和工程师提供了关于宽禁带半导体功率器件的全面讨论，包括它们的基础理论、设计考虑、制造工艺和应用实例，展现了这一领域的现状和未来发展趋势。
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