热搜关键词: 数字信号处理RTOSC语言Linux射频电路

pdf

双墙阻碍算力升级,探讨四大新型存储应用

  • 1星
  • 2024-07-22
  • 1.29MB
  • 需要2积分
  • 0次下载
标签: 存储

存储

双墙阻碍算力升级,探讨四大新型存储应用

展开预览

文档解析

民生证券发布的存储器行业专题研究聚焦于传统存储器面临的性能和存储墙挑战,以及AIoT、5G、智能汽车等新兴应用对存储器的新要求。报告探讨了四大新型存储技术:PCRAM(相变存储器)、MRAM(磁存储器)、ReRAM(可变电阻式存储器)和FeRAM(铁电随机存取存储器),它们基于材料介质改造或技术升级,有望成为未来存储器发展趋势。PCRAM虽无物理极限,但面临产业化障碍;MRAM产品已进入量产,尤其在嵌入式系统中的应用前景广阔;ReRAM市场规模有望增长,逐步替代NOR FLASH;FeRAM虽有多种优势,但技术瓶颈仍需突破。报告强调,新型存储器在持久性、存储密度、读写速度、功耗和抗辐射方面各有优势,但商业化程度和市场规模增速存在风险。

猜您喜欢

评论

登录/注册

积分规则

意见反馈

求资源

回顶部

推荐内容

热门活动

热门器件

随便看看

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版 版权声明

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
×