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如何利用有效的LDO为亚微米CMOS负载供电

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  • 2013-09-22
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标签: 如何利用有效的LDO为亚微米CMOS负载供电

如何利用有效的LDO为亚微米CMOS负载供电

在当今几乎每一台电子设备中,至少都有一块数字集成电路。诸如便携式手机、超声机械、服务器和工业控制系统之类的各种应用都采用数字集成电路来处理数据。在数字集成电路—如微处理器、DSP、FPGA和ASIC—领域的一个强劲趋势就是遵循摩尔定律发展:在集成电路上的晶体管的数量大约每两年翻一番。在过去的几十年当中,人们一直在努力缩小几何尺寸(工艺节点),它已经从上世纪80年代末的1000nm,被依次缩小为600nm、250nm、130nm、90nm和65nm,现在的45nm工艺节点容许半导体制造商把更多的晶体管集成到相同面积的芯片之中。更多的晶体管意味着在相同的空间中,你获得了更多的功能或改良的性能,但是,一切都要进行折衷。

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