热搜关键词: 数字信号处理RTOSC语言Linux射频电路

pdf

将双开关正向主电源转换器及反激式待机电源转换器与高压功率MOSFET集成

  • 1星
  • 2018-09-05
  • 5.06MB
  • 需要2积分
  • 0次下载
标签: 电源转换器

电源转换器

电源设计

电源转换器

MOSFET

电源转换器

将双开关正向主电源转换器及反激式待机电源转换器与高压功率MOSFET集成。

文档内容节选

产品增强功能 提供可选择的132kHz主开关频率,可降低成本和减小磁芯尺寸 相比HiperTFS1,提高了主峰值功率 自偏置高压端驱动器省去了高压端偏置绕组和二极管 修改了封装引线形式和引脚布局,更便于插入和PCB布局 UVON待机阈值容差更为严格 改进了待机空载性能 主要优势 双管正激主电源66 kHz132 kHz和反激132 kHz待机电源的单 IC解决方案 集成度高,可缩小电源设计的外形尺寸并提高其功率密度, 同时减少元件数 集成了控制栅极驱动和三个功率MOSFET 电平位移技术省去了脉冲变压器 保护功能包括:输入欠压保护UV输入过压保护OV过热 保护OTP输出过压保护OVP待机过功率因数校正OPC 短路保护SCP和限流ILIMIT 变压器复位控制功能 可防止在任何条件下出现饱和 主占空比工作超过50,可减小RMS电流和降低输出二极管电 压额定值 在整个输入电压范围内,待机过载功率变化低于10 采用超薄封装,峰值输出功率最高可达586 W 满载时效率90 可通过夹片快速安装到散热器,无需隔热垫 无卤素......

展开预览

猜您喜欢

评论

登录/注册

积分规则

意见反馈

求资源

回顶部

推荐内容

热门活动

热门器件

随便看看

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版 版权声明

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
×