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透过MOSFET电压电流最佳化控制传导性及辐射性EMI

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  • 2013-01-27
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标签: EMI

EMI

MOSFET

MOSFET

經由改變外部閘極電阻(gate  resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET  AOTF11C60  (αMOSII/11A/600V/TO220F)  的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

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