用于OLED的a2Si TFT有源驱动阵列保护电路:OL ED(organic elect rical emitting device ,有机电致发光器件) 有源驱动阵列在每个单元像素内都集成有两个或多个薄膜晶体管[1 ,2 ] ,以驱动发光点阵,从而能在整个帧周期内为像素提供持续的工作信号。有源驱动克服了无源驱动方式中使用占空比小的脉冲信号驱动带来的问题[3 ] ,有利于实现OL ED 大面积、高分辨率显示。在OL ED的a2Si TFT 有源驱动电路的设计过程中,我们采用了在每个单元像素中包含有2 个TFT ( thinfilm t ransistor 薄膜晶体管) 的驱动电路形式[4～6 ] ,如图1 所示。由于外界信号的异常变化,扫描线( scanning line) 、数据线( data line) 和电源线上(source line) 时常会带来突发的高电压,同时在TFT 阵列和OL ED 制作过程中,因为一些操作中的摩擦,也会带来高达几万伏的静电压,这些偶发的异常电压信号都会直接作用在T1 管或T2管的栅极上,击穿栅绝缘介质,导致器件彻底损坏。所以在T1 、T2 栅极外侧必须加一些保护电路,同时为了防止由电源线上来的高压信号击穿OL ED ,在电源线上加保护电路也很有必要。常见的栅保护电路有:二极管栅保护电路、源漏击穿保护、场致反型保护、栅调制击穿保护等[7 ] 。由于源漏击穿是可恢复的,并考虑到外围保护电路与驱动阵列工艺上一致性,我们选择了源漏击穿保护的形式,利用a2Si (amorphous silicon 非晶硅)TFT 的击穿特性,设计保护电路。 单元像素的驱动电路
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