大功率发光二极管的寿命试验及其失效分析: 以GaN 基蓝光L ED 芯片为基础光源制备了大功率蓝光L ED ,并通过荧光粉转换的方法制备了白光L ED。对大功率蓝光和白光L ED 进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析。结果表明,大功率L ED 的光输出随时间的衰减呈指数规律,缺陷的生长和无辐射复合中心的形成,荧光粉量子效率的降低,静电的冲击,电极性能不稳定,以及封装体中各成分之间热膨胀系数失配引起的机械应力都可能导致大功率L ED 的失效。关键词: 大功率; 蓝光L ED ; 白光L ED ; 寿命试验; 失效机理大功率LED 的光输出衰减特性图1 和图2 分别给出了大功率白光和蓝光L ED的相对光输出随时间的衰减曲线,每组L ED 采用的是同一厂家的同一批次芯片。其中第2 、3 组同时包括白光和蓝光L ED ,第5 组蓝光L ED 采用了防静电保护措施。所有L ED的光通量都用开始老化时的初始值进行了归一化。对于每组试样,图中所示衰减趋势表示的是该组试样测量值的平均结果。 大功率白光L ED 相对光通量Φr 随时间的变化
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