Fully Integrated 60-GHz Single

                        Fully  Integrated  60-GHz  Single-Ended  Resistive  Mixer  in  90-nm  CMOS  TechnologyIEEE  MICROWAVE  AND  WIRELESS  COMPONENTS  LETTERS,  VOL.  16,  NO.  1,  JANUARY  200625Fully  Integrated  60-GHz  Single-Ended  Resistive  Mixer  in  90-nm  CMOS  TechnologyBahar  M.  Motlagh,  Student  Member,  IEEE,  Sten  E.  Gunnarsson,  Mattias  Ferndahl,  and  Herbert  Zirath,  Member,  IEEEAbstract―This  letter  presents  the  design  and  characterization  of  a  fully  integrated  60-GHz  single-ended  resistive  mixer  in  a  90-nm  CMOS  technology.  A  conversion  loss  of  11.6  dB,  1-dB  compression  point  of  6  dBm  and  IIP3  of  16.5  dBm  were  measured  with  a  local  oscillator  (LO)  power  of  4  dBm  and  zero  drain  bias.  The  possibility  of  improvement  in  IIP3  with  selective  drain  bias  has  been  veried.  A  3-dB  improvement  in  IIP3  was  obtained  with  150-mV  dc  voltage  applied  at  the  drain.  Microstrip  transmission  lines  are  used  to  realize  ma……