NAND FLAHSD 读写 过程

                        nor  flash  读写过程一、结构分析S3C2410处理器集成了8位NandFlash控制器。目前市场上常见的8位NandFlash有三星公司的k9f1208、k9f1g08、k9f2g08等。k9f1208、k9f1g08、k9f2g08的数据页大小分别为512Byte、2kByte、2kByte。它们在寻址方式上有一定差异，所以程序代码并不通用。本文以S3C2410处理器和k9f1208系统为例，讲述NandFlash的读写方法。NandFlash的数据是以bit  的方式保存在memory  cell里的，一般来说，一个cell中只能存储一个bit，这些cell  以8  个或者16  个为单位，连成bitline，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND  Device  的位宽。这些Line组成Page，  page  再组织形成一个Block。k9f1208的相关数据如下：1block=32page；1page=528byte=512byte(Main  Area)+16byte(Spare  Area)。总容量为=4096（block数量）*32（page/block）*512(byte/page)=64MbyteNandFlash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照k9f1208的组织方式可以分四类地址：  Column  Address、halfpage  pointer、Page  Address  、BlockAddress。A[0:25]表示数据在64M空间中的地址。Column  Address表示数据在半页中的地址，大小范围0~255，用A[0:7]表示；halfpagepointer表示半页在整页中的位置，即在0~255空间还是在256~511空间，用A[8]表示；Page  Address表示页在块中的地址，大小范围0~31，用A[13……