电子技术资料下载
热搜关键词： 数字信号处理RTOSC语言Linux射频电路
已收藏到：个人中心—我的下载—收藏
LDMOS
提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。
猜您喜欢
上传资源
推荐内容
开源项目推荐 更多
热门活动
热门器件
用户搜过
随便看看
热门下载
热门标签
TI 技术论坛
TI 在线培训
Qorvo 射频技术研习社
请先登录EEWorld账户再进行下载哦
您已成功下载！
精彩活动推荐，好礼等你拿~换一换
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
评论