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PWM功率控制中，两种功率MOSFET对比IRF5210和IRF3205 简介 功率MOSFET最初用于我的温度控制板以下简称温控板中的过压保护电路，当时采 用的是IRF5210 TO220发生过压情况时，最慢响应时间为45ms，响应时间与过电压有关，但最大输入电 压不得超过100V这样做的目的主要是为了防止，不同电源适配器的混用而导致的器件 损毁，采用的电源接口是较为常见的DC005 25mm后来，由于其很小的导通阻抗006，较大的饱和漏源电源VDSS 100V，再加上在过压保护电路中的表现，后期将其用在了温控板的功率输出部分24 V，PWM控制，效果也是相当不错的 pic 但是，电子学就是积累的过程，下面仅针对参数进行比较： 对比 基于温控板中使用的情况 IRF5210是P沟道HEXFET场效应管，开关控制属于高位控制，这种控制的好处是当MOSFET 关断后，即使功率元件发生短路也不会出现危险但缺点是当电压较高时需要专门的MO SFET驱动电路如果使用自己搭的驱动电路，需要考虑波形展宽的影响，我自己搭的简 易MOSFET驱动电路的波形展宽达到了2s，而Micro......
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