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芯片封装测试流程详解

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  • 2018-12-11
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标签: 芯片

芯片

IC封装工艺简介。

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文档解析

这份文档是关于集成电路(IC)封装和组装过程的详细介绍。文档首先介绍了IC封装体的概念,它是由芯片(Die)、框架(L/F)和塑封料(EMC)组成的不同外形的封装体。IC封装可以根据材料、与PCB板的连接方式和外型进行分类。材料上分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装,其中塑料封装因成本低、工艺简单、可靠性高而占据大部分市场份额。连接方式上分为PTH(通孔式)和SMT(表面贴装式),目前市面上大部分IC采用SMT式。外型上则包括SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等多种类型,其中CSP技术因采用Flip Chip技术和裸片封装,实现了芯片面积与封装面积1:1的比例,为最高级的技术。 文档接着详细描述了晶圆(Wafer)和引线框架(Lead Frame)的作用和材料,引线框架主要材料为铜,会进行镀银、NiPdAu等处理,易氧化,需存放于氮气柜中。焊接金线(Gold Wire)用于实现芯片和外部引线框架的电性和物理连接,通常使用99.99%的高纯度金,也有采用铜线和铝线以降低成本。塑封料(Mold Compound)主要成分为环氧树脂及各种添加剂,用于保护芯片和引线框架。 文档还详细阐述了IC封装的各个工艺步骤,包括前段(FOL)和中段(EOL)的电镀、晶圆切割、晶圆安装、银浆固化、光检、晶圆清洗、芯片粘接等。特别提到了引线焊接(Wire Bond)的关键工艺,包括使用金线、铜线或铝线将芯片的Pad和引线框架的Lead连接起来,以及金线焊接的质量控制。 文档最后介绍了注塑(Molding)过程,这是为了防止外部环境冲击,将Wire Bonding完成后的产品封装起来,并需要加热硬化。还包括了激光打字、电镀退火、去溢料/电镀、切筋/成型等后续处理步骤,以及最终的视觉检查(Final Visual Inspection-FVI)。

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