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一款1.9G LNA设计实例

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标签: 1G9LNA

1G9LNA

                        1G9-LNAA  High  IIP3  Low  Noise  Amplifier  for  1900  MHz  Applications  Using  the  SiGe  BFP620  TransistorThis  application  note  describes  the  design  of  a  practical  LNABy  Gerard  Wevers  Infineon  Technologiesnfineon’s  BFP620  is  a  high-performance,  low-cost  silicon  germanium  bipolar  transistor  housed  in  a  4-lead  ultra  miniature  SOT343  surface  mount  package.  With  a  transition  frequency  (fT)  in  excess  of  70  GHz,  this  device  is  ideal  for  high  performance  applications,  including  Low  Noise  Amplifiers  in  portable  telephones  and  other  battery  operated  wireless  communications  devices.  The  BFP620  offers  exceptionally  low  noise  figure,  high  gain  and  high  linearity  at  low  power  consumption  levels.  The  BFP620  rivals  more  expensive  GaAs  MESFET  and  PHEMT  devices  in  performance  without  requiring  a  negative  supply  voltage……                       

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