热搜关键词: 电路基础ADC数字信号处理封装库PLC

pdf

FM24CL32 datasheet pdf,32Kb Serial 3V F-RAM Memory

  • 1星
  • 2013-09-19
  • 125.03KB
  • 需要1积分
  • 0次下载
标签: FM24CL32

FM24CL32

datasheet

datasheet

32Kb

datasheet

Serial

Serial

3V

3V

FRAM

FRAM

Memory

Memory

FM24CL32  datasheet  pdf,32Kb  Serial  3V  F-RAM  MemoryThe  FM24CL32  is  a  32-kilobit  nonvolatile  memoryemploying  an  advanced  ferroelectric  process.  Aferroelectric  random  access  memory  or  F-RAM  isnonvolatile  and  performs  reads  and  writes  like  aRAM.  It  provides  reliable  data  retention  for  45  yearswhile  eliminating  the  complexities,  overhead,  andsystem  level  reliability  problems  caused  byEEPROM  and  other  nonvolatile  memories.

展开预览

猜您喜欢

评论

登录/注册

意见反馈

求资源

回顶部

推荐内容

热门活动

热门器件

随便看看

  • 关于STM32的带电池的RAM的问题?
    我的STM32中的RAM是带电池的,我发现当我复位以后我定义的变量的值不是我复位前的值了,不是有电池可以使ram的值保持不变吗?我该怎么定义这个变量才可以使设备即便从新上电那个变量的值还是保持不变,除非我把它给清掉?
  • EEWORLD论坛微信公众账号正式上线啦!
    [font=微软雅黑][color=#434343][/color][color=#8b0000][size=5]EEWORLD论坛微信公众账号今日正式上线啦!扫描下面的二维码即可加入。[/size][/color][backcolor=rgb(251, 255, 240)][color=#8b0000][/color][/backcolor][color=#8b0000][size=5]关注EE
  • 传输线阻抗计算器:简洁小巧的TxLine
    简??介:  我们知道,当线路的特性阻抗不连续时,信号通过不连续点会发生反射,使信号产生过冲和振铃。在为速率较低的数字电路布电路板时,对走线的宽度和多层电路板的各层之间的间距不需要做很多考虑,因为这时候信号反射导致的波形变化只在相对信号周期来说很短的时间内结束,不会影响逻辑电平在取样点的判决。随着电路速率的提高,信号反射产生的不良影响越来越不能忽略。这时候,需要采取控制信号传输线阻抗的方法来减小信
  • 2017年电子设计大赛 F题 分析讨论
    [i=s] 本帖最后由 RF-刘海石 于 2017-8-9 19:34 编辑 [/i][size=5][color=#ff0000]首先说下,前几天我猜题的时候,我就说今年肯定没有往年那样的放大器了,一味的提升带宽是没有意义的,有些人还不相信,今天终于见真晓了吧!!![/color][/size][size=5][color=#ff0000][/color][/size][size=5][colo
  • 协调器网络中终端信息记录
    一个协调器中记录网络中终端的信息是在哪个函数执行的?有没有可能溢出?
  • 常用电压电流采样电路
  • 关于ecos的内存管理
  • 大家收到TI的模拟芯片都打算做什么呢?
  • 欧盟2006年6月下旬发布的最新标准目录
  • stm32 ID问题

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
×