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辐照
γ脉宽对电子器件瞬时辐照效应的影响:采用了２种γ脉冲辐射源，在脉冲宽度分别约为２０，５０，１５０ｎｓ，剂量率为１０６～１０９ Ｇｙ（Ｓｉ）·ｓ－１下，对５种不同类型的电子器件进行了辐照试验并对其辐照响应进行了分析，比较了不同脉冲宽度条件下辐照响应的差异。实验结果表明：脉冲宽度是影响瞬时辐照效应的重要因素，γ脉冲宽度越宽，辐照响应越强，分离器件比集成电路受脉宽的影响更明显。 关键词： 脉冲宽度； 辐射效应； 剂量率； 辐射存储时间
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