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Si基膜片型气敏传感器微结构单元的热学性能
微结构气敏传感器由于其微型化、低功耗、易阵列化和易批量生产等优点而受到国内外研究者的广泛关注。利用微机电系统(MEMS) 加工技术,制备Si 基膜片型微结构单元,并分析其热学性能。这种单元工作区温度为～300 ℃时,加热功率约75mW;并且膜片工作区的热质量很小,温度可以于毫秒量级的时间内,在室温和450 ℃之间调制。利用这种微结构单元,可以在温度调制方式下,研究气敏薄膜的电学特性和敏感机理。关 键 词:Si 基膜片型微结构单元;微机电系统;热学性能
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