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FlaSh
设计了一种静态随机读写存储器(SRAM ) 的B iCMOS 存储单元及其外围电路。HSp ice仿真结果表明, 所设计的SRAM 电路的电源电压可低于3 V 以下, 它既保留了CMOS SRAM 低功静态存储器和便携式数字电子设备的存储系统中。
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