氮化镓(GaN)技术超越硅 实现更高电源转换效率——来自安森美半导体Onsemi！
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氮化镓GaN技术超越硅 实现更高电源转换效率 Public Information 分立功率MOSFET 市场和应用 高压功率MOSFET 500 V 900 V ACDC电源 PFC 照明 白电 主要产品 600 V 650 V 垂直工艺MOSFET 600 V 650 V 低阻抗MOSFET Dpak TO220FP TO247 8X8 5x6 FL 中压功率MOSFET 40250 V 马达驱动 通信 POL模块 服务器 手持式电动工具 Key Products 40 V 60 V Trench6 Trench8 100 V Trench 5 SO8 FL Dpak TO220 服务器电源 POL通信 并机 低压功率MOSFET 2530 V 电脑DCDC 游戏机 显卡 主要产品 30 V Trench 6 25 V Trench 8 不对称双管 PowerPhase T6 T8 SO8FL u8FL 电源 微逆变器 GaN功率管 100650 V ACDC......
文档解析
氮化镓（GaN）技术在电源转换效率方面超越了硅，实现了更高的效率。GaN技术在不同电压等级的功率MOSFET中有广泛应用，包括服务器、电脑、游戏机、显卡、照明、白电以及汽车电子等领域。与传统硅材料相比，GaN器件具有更高的击穿电压、电子密度和速度，这使得它们在开关频率和功率密度方面有显著优势。此外，GaN器件在系统性能上也有显著提升，如在逆变器应用中，使用GaN器件的系统重量更轻、体积更小、效率更高。GaN技术在成本、电压范围、市场准入和成熟度方面也显示出优势，尤其是与碳化硅（SiC）相比。GaN内部架构包括高电子迁移率的三极管（HEMT）和低压MOSFET，这些架构能够承受高电压、具有低门级驱动和低反向恢复特性。GaN技术的应用前景广阔，包括充电器、逆变器、通信和服务器等领域，预计随着技术的发展，GaN的优势将更加明显。安森美半导体（ON Semiconductor）与Transphorm合作，提供基于GaN的电源产品和参考设计，旨在为客户提供全面的GaN解决方案。
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