MOSFET参数解读
文档内容节选
SAMWIN 功率MOSFET在电源板上参数解读 朱鹏 Parameter 中文描述 对电源系统的影响 Drain to Source Voltage Continuous Drain Current TC25oC Continuous Drain Current TC100oC 漏源电压标称值 参考BVDSS 漏源标称电流 Drain current pulsed 漏源最大单脉冲电流 Gate to Source Voltage 栅漏电压 Single pulsed Avalanche Energy 单脉冲雪崩能量 Repetitive Avalanche Energy 重复雪崩能量 漏源间可承受的电流值，该值如果偏小，在设 计降额不充裕的系统中或在测试OCPOLP的 过程中会引起电流击穿的风险 反应的是MOSFET漏源极可承受的单次脉冲电 流强度，该参数过小，电源系统在做OCP或O LP测试时，有电流击穿的风险 栅极可承受的最大电压范围，在任何条件下， 必须保证其接入的电压必须在规格范围内M OSFET的栅极也是MOSF......
猜您喜欢
推荐内容
开源项目推荐 更多
热门活动
热门器件
用户搜过
随便看看
热门下载
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
评论