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半导体集成电路

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标签： 半导体

半导体

半导体集成电路半导体集成电路半导体集成电路

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这份PPT文档由黄君凯教授提供，主要介绍了半导体集成电路的制造工艺和相关技术。文档涵盖了硅平面工艺的基本原理，包括单晶硅的制备、氧化工艺、光刻技术、扩散工艺、离子注入工艺和外延工艺等关键步骤。其中，氧化工艺分为干氧氧化和湿氧氧化两种方式，各有其特点和应用场景。光刻技术是制造过程中的重要环节，涉及掩膜版的制备和光刻胶的使用。扩散工艺和离子注入工艺则用于精确控制杂质在硅片中的分布，以形成所需的电学特性。外延工艺则在单晶片上生长新的单晶层或多晶层，以满足特定电阻率和厚度的要求。

此外，文档还详细讨论了集成电路中的双极型器件和单极型器件，如集成电阻器、晶体管和二极管的制造技术。特别强调了集成电路工艺的特点，例如元件间的隔离技术、埋层工艺、寄生效应及其对高频性能的影响。最后，文档还探讨了集成MOS场效应晶体管的制作工艺，包括p沟道集成MOSFET的制作流程和硅栅工艺，以及MOS集成电路的特点，如自隔离特性、低功耗和高集成度等。整体而言，文档为读者提供了半导体集成电路制造领域的深入技术解析。

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