碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性

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碳化硅（SiC）MOSFET因其高开关频率、低导通损耗和高效热管理等优势在电力电子领域备受关注。设计时需考虑驱动器的高门极峰值输出电流、低传播延迟、双路输出端口、高安全隔离电压和3-5V负压关断等特性。SiC-MOSFET在高温下导通电阻低，阈值电压随温度降低，适合高频开关。其体二极管具有快速恢复特性，减少损耗和噪音。门极驱动电路应选择低阻值电阻以实现快速开关。SiC-MOSFET的这些特性使其在电力电子应用中具有显著优势。

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