2SK30ATM
東芝電界効果トランジスタ シリコン
N
チャネル接合½
2SK30ATM
½雑音プリアンプ用
トーンコントロールアンプ用
各種
DC-AC
高入力インピーダンス増幅回路用
•
•
•
高耐圧です。
½雑音です。
: V
GDS
= −50
V
: NF
=
0.5 dB (標準) (R
G
=
100 kΩ)
(f
=
120 Hz)
高入力インピーダンスです。
: I
GSS
= −1
nA (最大) (V
GS
= −30
V)
最大定格
(Ta
=
25°C)
項
目
記 号
V
GDS
I
G
P
D
T
j
T
stg
定
−50
10
100
125
−55~125
格
単½
V
mA
mW
°C
°C
ゲ ー ト ½ ド レ イ ン 間 電 圧
ゲ
許
接
保
ー
容
合
存
ト
損
温
温
電
流
失
度
度
電気的特性
(Ta
=
25°C)
項
目
記 号
I
GSS
V
(BR) GDS
測 定 条 件
V
GS
= −30
V, V
DS
=
0
V
DS
=
0, I
G
= −100 µA
最小
−50
0.3
−0.4
1.2
―
標準
8.2
2.6
0.5
最大
−1.0
6.5
−5.0
5.0
単½
nA
V
mA
V
mS
pF
pF
dB
ゲ ー ト ½ ド レ イ ン し ゃ 断 電 流
ゲ ー ト ½ ド レ イ ン 間 降 伏 電 圧
ド
レ
イ
ン
電
流
I
DSS
(注) V
DS
=
10 V, V
GS
=
0
V
GS (OFF)
|Y
fs
|
C
iss
C
rss
NF
V
DS
=
10 V, I
D
=
0.1
µA
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1 kHz
V
GS
=
0 V, V
DS
=
0, f
=
1 MHz
V
GD
= −10
V, V
DS
=
0, f
=
1 MHz
V
DS
=
15 V, V
GS
=
0, R
G
=
100 kΩ,
f
=
120 Hz
ゲ ー ト ½ ½ ー ス 間 し ゃ 断 電 圧
順 方 向 伝 達 ア ド ミ タ ン ス
入
帰
雑
力
還
音
容
容
指
量
量
数
注:
I
DSS
分類
R: 0.30
~
0
.
75, O: 0.60
~1.
40, Y: 1.20
~
3.00, GR: 2.60
~
6.50
000629TAA
•
½社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導½½品は誤½動したり故障することがあります。½社半導½½品をご
½用いただく場合は、半導½½品の誤½動や故障により、生½½身½½財産が侵害されることのないように、購入者側の責任におい
て、機器の安全設計を行うことをお願いします。
なお、設計に際しては、最新の½品仕様をご確認の上、½品保証範囲内でご½用いただくと共に、考慮されるべき注意事項や条件
について½東芝半導½½品の取り扱い上のご注意とお願い½、½半導½信頼性ハンドブック½などでご確認ください。
•
本資料に掲載されている½品は、一般的電子機器
(コンピュータ、パー½ナル機器、事務機器、計測機器、産業用ロボット、家電機
器など) に½用されることを意図しています。特別に高い品質½信頼性が要求され、その故障や誤½動が直接人½を脅かしたり人½
に危害を及ぼす恐れのある機器
(原子力制御機器、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、燃焼制御、医療機器、各種安全装½な
ど) にこれらの½品を½用すること
(以下 “特定用途”
という) は意図もされていませんし、また保証もされていません。本資料に
掲載されている½品を½該特定用途に½用することは、お客様の責任でなされることとなります。
•
本資料に掲載されている技術情報は、½品の代表的動½½応用を説明するためのもので、その½用に際して½社および第三者の知的
財産権その他の権利に対する保証または実½権の許諾を行うものではありません。
•
本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
2000-09-25
1/3
2SK30ATM
静
(mA)
特
性
½ース接地
½ース接地
Ta
=
25°C
VDS
=
10 V
Ta
=
25°C
I
D
– V
GS
6.4
5.6
4.8
4.0
ドレイン電流
I
D
4.8
−1.0
3.2
−0.8
−0.6
0
VGS
= −0.2
V
−0.4
RS
=
1 kΩ
1.6
−1.6
−1.4
2
10
5
0.8
0
0
3.2
2.4
VDS
=
10 V
1.6
−1.6
−0.8
0
20
40
60
−2.8
−2.4
−2.0
−1.6
−1.2
−0.8
−0.4
ゲート½½ース間電圧 ドレイン½½ース間電圧
V
DS
(V)
V
GS
(V)
ゲート½½ース間電圧
V
GS
(V)
I
D
– V
DS
3.2
½ース接地
Ta
=
25°C
(½電圧領域)
0
|Y
fs
| – I
D
(mS)
½ース接地
4.8
VDS
=
10 V
f
=
1 kHz
Ta
=
25°C
(mA)
2.4
VGS
= −0.2
V
I
D
−0.4
1.6
−0.6
−1.6 −1.4 −1.2 −1.0
−0.8
順方向伝達アドミタンス
|Y
fs
|
IDSS
=
6 mA
3.2
1.7
0.7
1.6 0.4
2.8
ドレイン電流
0.8
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
0
0
1.6
3.2
4.8
6.4
ドレイン½½ース間電圧
V
DS
(V)
ドレイン電流
I
D
(mA)
|Y
fs
| – V
GS
4.0
½ース接地
VDS
=
0
f
=
1 kHz
Ta
=
25°C
2.4
3.2
V
GS (OFF)
– I
DSS
(mS)
−10
½ース接地
IDSS
: VDS
=
10 V
VGS
=
0
VGS (OFF) :
=
10 V
ID
=
0.1
µA
Ta
=
25°C
順方向伝達アドミタンス
ゲート½½ース間しゃ断電圧
V
GS (OFF)
(V)
−5
|Y
fs
|
−3
1.6
0.8
−1
−4.0
−3.2
−2.4
−1.6
−0.8
0
0
−0.5
0.3
1
3
10
ゲート½½ース間電圧
V
GS
(V)
ドレイン電流
I
DSS
(mA)
2000-09-25
ドレイン電流
I
D
(mA)
2/3
2SK30ATM
|Y
fs
| – I
DSS
10
8
NF – R
G
½ース接地
VDS
=
15 V
ID
=
1 mA
Ta
=
25°C
f
=
120 Hz
順方向伝達アドミタンス
|Y
fs
| (mS)
½ース接地
IDSS : VDS
=
10 V, VGS
=
0
|Yfs| : VDS
=
10 V, VGS
=
0
f
=
1 kHz
5
3
NF
4
雑音指数
(dB)
6
1 kHz
10 kHZ
2
1
0.3
0.5
1
3
5
10
ドレイン電流
I
DSS
(mA)
0
500 1 k
10 k
100 k
1M
NF – f
½ース接地
VDS
=
15 V
ID
=
1 mA
Ta
=
25°C
RG
=
10 kΩ
2
1M
100 k
5
0
0.01
6
信号源抵抗
R
G
(Ω)
(dB)
NF
4
雑音指数
NF – V
DS
½ース接地
ID
=
1 mA
RG
=
100 kΩ
Ta
=
25°C
0.03
0.1
0.3
1
3
10
(dB)
NF
雑音指数
4
周
波
数
f
(kHz)
3
2
1k
10 k
f
=
120 Hz
NF – I
D
1.5
(dB)
½ース接地
VDS
=
15 V
RG
=
100 kΩ
Ta
=
25°C
1
NF
1.0
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
ドレイン½½ース間電圧
雑音指数
0.5
f
=
120 Hz
1k
10 k
V
DS
(V)
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
ドレイン電流
I
D
(mA)
125
P
D
– Ta
100
C
iss
– V
GS
, C
rss
– V
GD
30
入力容量
C
iss
(pF)
帰還容量
C
rss
(pF)
½ース接地
Ciss: VDS
=
0
10
5
3
Crss: VGS
=
0
f
=
1 MHz
Ta
=
25°C
(mW)
許容損失
P
D
−16
75
50
25
−14
0
0
1
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
25
50
75
100
125
ゲート½ドレイン間電圧
V
GD
(V)
ゲート½½ース間電圧
V
GS
(V)
周囲温度
Ta
(°C)
2000-09-25
3/3
京公网安备 11010802033920号
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