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DMOS
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DMOS
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Hot-electron injection and trapping in the gate oxide of submicron
DMOS
transistors
标签:
RF
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类型:应用文档
上传者:
nonogugu66
上传时间:2020年06月22日
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Single event gate rupture of power
DMOS
transistors
标签:
RF
积分:1
类型:应用文档
上传者:
mamselc
上传时间:2020年06月22日
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analog technology integrates bipolar, CMOS, and high-voltage
DMOS
transistors
标签:
RF
积分:1
类型:应用文档
上传者:
mamselc
上传时间:2020年06月22日
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Quasi-saturation capacitance behavior of
DMOS
device
标签:
RF
积分:1
类型:应用文档
上传者:
flexbuilder
上传时间:2020年06月22日
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Commutating SOcapability of power
DMOS
FETs
标签:
RF
积分:1
类型:应用文档
上传者:
crazyjackson
上传时间:2020年06月22日
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Failure of power
DMOS
transistor arrays under unclamped inductive switching stress conditions
标签:
RF
积分:1
类型:应用文档
上传者:
flexbuilder
上传时间:2020年06月19日
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Effects of ionizing radiation on the noise properties of
DMOS
power transistors
标签:
RF
积分:1
类型:应用文档
上传者:
solarelec
上传时间:2020年06月19日
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Degradation of breakdown voltage of
DMOS
due to arsenic implant damage
标签:
RF
积分:1
类型:应用文档
上传者:
sinceyoulove
上传时间:2020年06月18日
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Silicon-on-insulator approach for power IC's integrating vertical
DMOS
and polycrystalline silicon C
标签:
RF
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类型:应用文档
上传者:
baidu_linker
上传时间:2020年06月18日
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Optimized load device for
DMOS
integrated circuits
标签:
RF
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类型:应用文档
上传者:
jasionla
上传时间:2020年06月18日
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Theoretical and numerical comparison between
DMOS
and trench technologies for insulated gate bipolar
标签:
RF
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类型:应用文档
上传者:
baidu_linker
上传时间:2020年06月17日
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2-D boundary element method approach to the simulation of
DMOS
transistors
标签:
RF
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类型:应用文档
上传者:
jujuyaya222
上传时间:2020年06月17日
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Charging characteristics of high dose source implants of
DMOS
devices
标签:
RF
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类型:应用文档
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csdn_can
上传时间:2020年06月16日
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Advanced
DMOS
memory cell using new isolation structure
标签:
RF
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类型:应用文档
上传者:
mamselc
上传时间:2020年06月16日
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capacitance-voltage measurement method for
DMOS
transistor channel length extraction
标签:
RF
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类型:应用文档
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flexbuilder
上传时间:2020年06月16日
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closed-form physical back-gate-bias dependent quasi-saturation model for SOI lateral
DMOS
devices wi
标签:
RF
积分:1
类型:应用文档
上传者:
baidu_linker
上传时间:2020年06月12日
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Effects of the diffused impurity profile on the DC characteristics of VMOS and
DMOS
devices
标签:
RF
积分:1
类型:应用文档
上传者:
nonogugu66
上传时间:2020年06月12日
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Determining the drain doping in
DMOS
transistors using the hump in the leakage current
标签:
RF
积分:1
类型:应用文档
上传者:
froglucky
上传时间:2020年06月11日
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2.5 million cell inch2, low-voltage
DMOS
FET technology
标签:
RF
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类型:应用文档
上传者:
lamaba
上传时间:2020年06月11日
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new integrated silicon gate technology combining bipolar linear, CMOS logic, and
DMOS
power parts
标签:
RF
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类型:应用文档
上传者:
flexbuilder
上传时间:2020年06月11日
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analytical quasi-saturation model considering heat flow for
DMOS
device
标签:
RF
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类型:应用文档
上传者:
mamselc
上传时间:2020年06月11日
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1500 V IGBT with self-aligned
DMOS
structure for high resolution CRT operated up to 100 kHz
标签:
RF
IGBT
积分:1
类型:应用文档
上传者:
csdn_can
上传时间:2020年06月09日
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Self-isolation NMOS-
DMOS
technology for automotive low-side switches
标签:
RF
汽车电子
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类型:应用文档
上传者:
nkyqsl
上传时间:2020年06月09日
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Hot electron degradation and unclamped inductive switching in submicron 60-V lateral
DMOS
标签:
RF
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类型:应用文档
上传者:
PKelect
上传时间:2020年06月09日
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insulated gate bipolar transistor with self-aligned
DMOS
structure
标签:
RF
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类型:应用文档
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rubyonrails
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bsm180d12p2c101 SIC-
DMOS
半桥功率模块
标签:
bsm180d12p2c101
罗姆半导体
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类型:应用文档
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solarelec
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DMOS
tech and process introduction
标签:
DMOS
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类型:教程及课件
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woshigenanhai3
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BSS84 pdf datasheet (P-channel enhancement mode vertical
DMOS
transistor)
标签:
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mode
vertical
transistor
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类型:应用文档
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nishisb
上传时间:2013年09月22日
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集成CMOS和
DMOS
技术优势的DG61X系列模拟开关特性及应用的介绍
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集成
技术
技术优势
优势
系列
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横向高压
DMOS
单粒子辐照瞬态响应
标签:
横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应
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