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DMOS

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Hot-electron injection and trapping in the gate oxide of submicron DMOS transistors
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:nonogugu66上传时间:2020年06月22日
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Single event gate rupture of power DMOS transistors
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:mamselc上传时间:2020年06月22日
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analog technology integrates bipolar, CMOS, and high-voltage DMOS transistors
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:mamselc上传时间:2020年06月22日
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Quasi-saturation capacitance behavior of DMOS device
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:flexbuilder上传时间:2020年06月22日
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Commutating SOcapability of power DMOS FETs
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:crazyjackson上传时间:2020年06月22日
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Failure of power DMOS transistor arrays under unclamped inductive switching stress conditions
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:flexbuilder上传时间:2020年06月19日
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Effects of ionizing radiation on the noise properties of DMOS power transistors
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:solarelec上传时间:2020年06月19日
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Degradation of breakdown voltage of DMOS due to arsenic implant damage
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:sinceyoulove上传时间:2020年06月18日
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Silicon-on-insulator approach for power IC's integrating vertical DMOS and polycrystalline silicon C
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:baidu_linker上传时间:2020年06月18日
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Optimized load device for DMOS integrated circuits
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:jasionla上传时间:2020年06月18日
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Theoretical and numerical comparison between DMOS and trench technologies for insulated gate bipolar
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:baidu_linker上传时间:2020年06月17日
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2-D boundary element method approach to the simulation of DMOS transistors
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:jujuyaya222上传时间:2020年06月17日
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Charging characteristics of high dose source implants of DMOS devices
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:csdn_can上传时间:2020年06月16日
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Advanced DMOS memory cell using new isolation structure
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:mamselc上传时间:2020年06月16日
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capacitance-voltage measurement method for DMOS transistor channel length extraction
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:flexbuilder上传时间:2020年06月16日
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closed-form physical back-gate-bias dependent quasi-saturation model for SOI lateral DMOS devices wi
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:baidu_linker上传时间:2020年06月12日
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Effects of the diffused impurity profile on the DC characteristics of VMOS and DMOS devices
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:nonogugu66上传时间:2020年06月12日
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Determining the drain doping in DMOS transistors using the hump in the leakage current
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:froglucky上传时间:2020年06月11日
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2.5 million cell inch2, low-voltage DMOS FET technology
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:lamaba上传时间:2020年06月11日
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new integrated silicon gate technology combining bipolar linear, CMOS logic, and DMOS power parts
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:flexbuilder上传时间:2020年06月11日
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analytical quasi-saturation model considering heat flow for DMOS device
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:mamselc上传时间:2020年06月11日
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1500 V IGBT with self-aligned DMOS structure for high resolution CRT operated up to 100 kHz
标签:RFIGBT
积分:1 类型:应用文档上传者:csdn_can上传时间:2020年06月09日
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Self-isolation NMOS-DMOS technology for automotive low-side switches
标签:RF汽车电子
积分:1 类型:应用文档上传者:nkyqsl上传时间:2020年06月09日
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Hot electron degradation and unclamped inductive switching in submicron 60-V lateral DMOS
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:PKelect上传时间:2020年06月09日
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insulated gate bipolar transistor with self-aligned DMOS structure
标签:RF
积分:1 类型:应用文档上传者:rubyonrails上传时间:2020年06月09日
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bsm180d12p2c101 SIC-DMOS半桥功率模块
标签:bsm180d12p2c101罗姆半导体
积分:1 类型:应用文档上传者:solarelec上传时间:2019年02月16日
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DMOS tech and process introduction
标签:DMOS
积分:1 类型:教程及课件上传者:woshigenanhai3上传时间:2018年04月25日
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BSS84 pdf datasheet (P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor)
标签:pdfdatasheetmodeverticaltransistor
积分:1 类型:应用文档上传者:nishisb上传时间:2013年09月22日
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集成CMOS和DMOS技术优势的DG61X系列模拟开关特性及应用的介绍
标签:集成技术技术优势优势系列
积分:1 类型:应用文档上传者:baidu_linker上传时间:2013年09月22日
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横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应
标签:横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应
积分:1 类型:应用文档上传者:sinceyoulove上传时间:2013年09月22日
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