放大器的设计 引 言 近几十年来,微波器件的飞速发展,如双级晶体管(BJT)、结型场效应管(JFET)的发明,以及砷化钾肖特基势垒栅场效应管(GaAs MESFET)的研制成功。这些成功,使得微波固态电路随之也发生了飞速的进步。由于80年代初的先进工艺,使得级间线条尺寸缩小到了亚微米级,又一次大大提高了了工作频率。随后异质结双级晶体管(HBT),高电子迁移率晶体管(HEMT),也相继研制成功。目前这些新的器件的工作频率已经进入了毫米波段,HEMT多用于微波低噪声放大器,现在国外已研制出毫米波单片集成电路,HBT的应用不仅可作微波功放、微波振荡器、微波开关,还可作分频器,模数变换、高速逻辑电路等,预测将来微波集成电路必然有着跟迅速的发展。 微波基本知识及课题背景 分米波 10-----1分米 特高频(UHF) 300-----3000 Hz 微波 厘米波 10-----1厘米 超高频(SHF) 3000-----30000Hz 毫米波 10-----1毫米 极高频(EHF) 30000-----300000Hz(贴图) 其简单工作过程是:利用天线将从空中接受的微弱电磁波变为无调电流,经过可调谐的高频放大器选择出所需接收的信号,并同时放大信号。放大后的高频已调信号与本振振荡器的频率相混频,变为频率较低而且固定的中频已调信号,经过中频放大以后,又检波器检出原来的调制信号,在经低频放大器放大去推动终端设备。 我的课题即是设计一个中频放大器。中频放大器是一种频带较宽的……
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