文档解析
本文是张安平教授于2013年6月在贵阳所作的关于大功率碳化硅基电力电子器件的报告。报告主要内容包括碳化硅商品化器件、碳化硅功率器件的新进展、不同类型碳化硅器件（包括SBD、MOSFET、JFET、PIN、BJT、IGBT）的研究进展，以及碳化硅功率器件的展望。报告强调了碳化硅电力电子器件的优势，如宽能带隙、强击穿电场、高热导率、大功率密度和抗辐射特性，这些特性可以显著增强系统的可靠性，实现系统的高效、节能、微小化和智能化。碳化硅器件在高温（250°C对比150°C）和高频操作方面表现出色，有助于简化系统设计，减小尺寸和重量，降低成本。报告还对比了硅基器件和碳化硅基器件在电力变换、电力驱动、发电和电力输送方面的性能差异，指出碳化硅基器件在这些领域的优势。此外，报告详细介绍了Cree、Infineon、ROHM和GENESIC等公司商业化的碳化硅器件的电压和电流规格，并展示了西安交通大学在SiC和GaN功率器件制备工艺和测试方面的研究成果。
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
评论